MOSFETs duplos do transistor de poder 30V do Mosfet do canal de CSD87312Q3E 2 N-CH NexFET Pwr
Number modelo:CSD87312Q3E
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
Prazo de entrega:Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento:QFN
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFETs duplos do MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD87312Q3E
CARACTERÍSTICAS
- Ection de CommonSourceConn
- Ultr um L dreno do w para drenar a Em-resistência
- FILHO da economia do espaço pacote plástico de 3,3 x de 3.3mm
- Aperfeiçoado para a movimentaço da porta 5V
- Baixa resistência térmica
- Avalancha avaliada
- Chapeamento terminal livre do Pb
- RoHS complacente
- APLICAÇÕES livres do halogênio
APLICAÇÕES
- Adaptor/USB entrou a proteço para o caderno
- PCes e tabuletas
SUMÁRIO DO PRODUTO
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Drene tenso da fonte | 30 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4.5V) | 6,3 | nC | |
Qgd | Porta da carga da porta a drenar | 0,7 | nC | |
RDD (sobre) | Drene para drenar na resistência (Q1+Q2) | VGS = 4.5V | 31 | mΩ |
VGS = 8V | 27 | mΩ | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,0 | V | |
INFORMAÇO PEDINDO
Dispositivo | Pacote | Meios | Qty | Navio |
CSD87312Q3E | FILHO pacote plástico de 3,3 x de 3.3mm | 13-no carretel do ch | 2500 | Fita e carretel |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Drene tenso da fonte | 30 | V |
VGS | Porta tenso da fonte | +10/-8 | V |
Identificaço | (1) corrente contínua do dreno, TC = 25°C | 27 | |
IDM | Corrente pulsada do dreno (2) | 45 | |
Paládio | Dissipaço de poder | 2,5 | W |
TJ, TSTG | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =24A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 29 | mJ |
DESCRIÇO
O CSD87312Q3E é 30V uma comum-fonte, dispositivo duplo do N-canal projetado para a proteço da entrada de adaptor/USB. Este FILHO dispositivo de 3,3 x de 3.3mm tem o baixo dreno para drenar a em-resistência que minimiza perdas e oferece a baixa contagem componente para aplicações forçadas espaço do carregamento de bateria da multi-pilha.
MOSFETs duplos do transistor de poder 30V do Mosfet do canal de CSD87312Q3E 2 N-CH NexFET Pwr
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