Motorista Circuit do Mosfet do poder de CSD25402Q3A 650 milivolt, transistor do Mosfet do poder superior
Number modelo:CSD25402Q3A
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Termos do pagamento:Paypal, Western Union, TT
Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
Prazo de entrega:Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento:VDFN8
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes:
No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET do MOSFET P-CH Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD25402Q3A
Características 1
- Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Baixo RDS (sobre)
Pb e halogênio livres
RoHS complacente
FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros
2 aplicações
Conversores de DC-DC
Gesto da bateria
Interruptor da carga
Proteço da bateria
Descriço 3
Este – 20-V, MOSFET do poder de NexFETTM de 7,7 mΩ é projetado minimizar perdas em aplicações da gesto da carga da converso de poder com um FILHO 3,3 milímetros de × o pacote de 3,3 milímetros que oferece um desempenho térmico excelente para o tamanho do dispositivo.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | tenso da Dreno--fonte | – 20 | V | |
Qg | Total da carga da porta (– 4,5 V) | 7,5 | nC | |
Qgd | Porta da carga da porta a drenar | 1,1 | nC | |
RDS (sobre) | Dreno--fonte na resistência | VGS = – 1,8 V | 74 | mΩ |
VGS = – 2,5 V | 13,3 | mΩ | ||
VGS = – 4,5 V | 7,7 | mΩ | ||
Vth | Tenso do ponto inicial | – 0,9 | V | |
Informaço pedindo (1)
DISPOSITIVO | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD25402Q3A | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros | Fita e carretel |
CSD25402Q3AT | 250 | carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | tenso da Dreno--fonte | – 20 | V |
VGS | tenso da Porta--fonte | +12 ou – 12 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno, TC = 25°C | – 76 | |
Corrente contínua do dreno (limite do pacote) | – 35 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | – 15 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno (2) | – 148 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 2,8 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 69 | ||
TJ | Temperatura de junço de funcionamento | – 55 a 150 | °C |
Tstg | Temperatura de armazenamento | – 55 a 150 | °C |
Motorista Circuit do Mosfet do poder de CSD25402Q3A 650 milivolt, transistor do Mosfet do poder superior
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