Transistor do Mosfet do poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr do circuito do Mosfet do canal de N
Number modelo:CSD18540Q5B
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:VSON8
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalhes do produto
MOSFET 60V do transistor de poder do Mosfet de CSD18540Q5B, MOSFET de NexFET Pwr do N-canal
Características 1
- Ultra-baixos Qg e Qgd
Resistência Baixo-térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal sem chumbo
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Converso de DC-DC
Retificador síncrono lateral secundário
Interruptor lateral preliminar isolado do conversor
Controlo do motor
Descriço 3
Este 1,8 mΩ, MOSFET do poder de 60-V NexFETTM é projetado minimizar perdas em aplicações da converso de poder com um FILHO 5 milímetros de × pacote de 6 milímetros.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 60 | V | |
Qg | Total da carga da porta (10 V) | 41 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 6,7 | nC | |
RDS (sobre) | Dreno--fonte na resistência | VGS = 4,5 V | 2,6 | mΩ |
VGS =10V | 1,8 | |||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,9 | V | |
Informaço do dispositivo
DISPOSITIVO | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD18540Q5B | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 5,00 milímetros de × pacote plástico de 6,00 milímetros | Fita e carretel |
CSD18540Q5BT | 250 | carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 60 | V |
VGS | Tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 100 | |
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C | 205 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | 29 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) | 400 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 3,8 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 188 | ||
TJ, Tstg | Junço de funcionamento, temperatura de armazenamento | – 55 a 175 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =80A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 320 | mJ |
Transistor do Mosfet do poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr do circuito do Mosfet do canal de N
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