Carga rápida da porta da velocidade de interruptor do canal do transistor de poder N do Mosfet de FDPF045N10A 100V baixa
Number modelo:FDPF045N10A
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Detalhes de empacotamento:TO-220F
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalhes do produto
MOSFET de PowerTrench do N-canal do MOSFET 100V do transistor de poder do Mosfet de FDPF045N10A
Características
RDS (sobre) =3.7mΩ (tipo.) @VGS =10V, identificaço =67A
Velocidade de comutaço rápida
Baixa carga da porta, QG = 57 nC (tipo.)
Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)
Poder superior e capacidade de manipulaço atual
RoHS complacente
Descriço
Este MOSFET do N-canal é produzido usando o processo avançado de PowerTrench® de Fairchild Semiconductor® que esteve costurado para minimizar a resistência do em-estado quando mantenha o desempenho de comutaço superior do ing.
Aplicações
Correço síncrono para ATX/fonte de alimentaço do servidor/telecomunicações
Movimentações e fontes de alimentaço ininterrupta do motor
Micro inversor solar
Carga rápida da porta da velocidade de interruptor do canal do transistor de poder N do Mosfet de FDPF045N10A 100V baixa
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