Motorista Circuit do Mosfet do canal de FDMS6681Z P, transistor de interruptor PowerTrench do poder

Number modelo:FDMS6681Z
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Termos do pagamento:Paypal, Western Union, TT
Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
Prazo de entrega:Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento:QFN8
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Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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P-canal PowerTrench do MOSFET -30V do transistor de poder do Mosfet de FDMS6681Z


Características

  • MΩ 3,2 máximo do RDS (sobre) = em VGS = -10 V, identificaço = -21,1 A
  • MaxrDS (sobre) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identificaço =-15.7A
  • Combinaço avançada do pacote e do silicone para o baixo RDS (sobre)

  • Nível da proteço de HBM ESD de 8kV típico (nota 3)

  • Projeto de pacote MSL1 robusto

  • RoHS complacente


Descriço geral

O FDMS6681Z foi projetado minimizar perdas em aplicações do interruptor da carga. Os avanços em tecnologias do silicone e do pacote foram combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) e a proteço do ESD.


Aplicações

  • Interruptor da carga no caderno e no servidor
  • Gesto do poder do bloco da bateria do caderno

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Motorista Circuit do Mosfet do canal de FDMS6681Z P, transistor de interruptor PowerTrench do poder

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