Configuração de alta tensão de NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612 única
Number modelo:FDT3612
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:SOT223
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET 100V NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612
Descriço geral
Este MOSFET do N-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM.
Estes MOSFETs caracterizam um interruptor mais rápido e uma mais baixa carga da porta do que outros MOSFETs com especificações comparáveis do RDS (SOBRE). O resultado é projetos da fonte de uma alimentaço do MOSFET que é fácil e mais seguro de conduzir (mesmo em altas frequências mesmas), e do DC/DC com eficiência total mais alta.
Aplicações
• DC/DCconverter
• Motordriving
Características
- 3.7A, 100V. RDS (SOBRE) =120MΩ@VGS =10V RDS (SOBRE) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely baixo RDS (SOBRE)
- Poder superior e capacidade de manipulaço atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem
Configuração de alta tensão de NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612 única
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