Circuito do interruptor do Mosfet do poder superior P de FDS6681Z, motorista Circuit do Mosfet do canal de P
Number modelo:FDS6681Z
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:SOP8
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET de PowerTrench do P-canal do MOSFET 30V do transistor de poder do Mosfet de FDS6681Z
Características da descriço geral
Este MOSFET do P-canal é produzido usando o processo avançado do PowerTrench® do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado.
Este dispositivo é bem - serido para a gesto do poder e as aplicações de comutaço da carga comuns nos laptop e em blocos portáteis da bateria.
Características
• Escala prolongada de VGSS (– 25V) para aplicações da bateria
• Nível da proteço de HBM ESD de 8kV típico (nota 3) • Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
baixo RDS (SOBRE)
• Poder superior e capacidade de manipulaço atual
• TerminationisLead-freeandRoHSCompliant
Circuito do interruptor do Mosfet do poder superior P de FDS6681Z, motorista Circuit do Mosfet do canal de P
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