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Number modelo:CSD18504Q5A
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalhes do produto

MOSFET do poder de NexFET do N-canal do MOSFET 40V do transistor de poder do Mosfet de CSD18504Q5A


Características 1

  • Ultra-baixos Qg e Qgd
  • Baixa resistência térmica

  • Avalancha avaliada

  • Nível da lógica

  • Chapeamento terminal livre do Pb

  • RoHS complacente

  • Halogênio livre

  • FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros


2 aplicações

  • Converso de DC-DC

  • Retificador síncrono lateral secundário

  • Controlo do motor da bateria


Descriço 3

Este 5,3 mΩ, × do FILHO 5 6 milímetros, MOSFET do poder de 40 V NexFETTM é projetado minimizar perdas em aplicações da converso de poder.


Sumário do produto

Ta = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDADE

VDS

Tenso da Dreno--fonte

40

V

Qg

Total da carga da porta (4,5 V)

7,7

nC

Qgd

Porta--dreno da carga da porta

2,4

nC

RDS (sobre)

Em-resistência da Dreno--fonte

VGS = 4,5 V

7,5

VGS =10V

5,3

VGS (th)

Tenso do ponto inicial

1,9

V


Informaço pedindo

Dispositivo

Qty

Meios

Pacote

Navio

CSD18504Q5A

2500

carretel 13-Inch

FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

Fita e carretel

CSD18504Q5AT

250

carretel 7-Inch


Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C

VALOR

UNIDADE

VDS

Tenso da Dreno--fonte

40

V

VGS

Tenso da Porta--fonte

±20

V

Identificaço

Corrente contínua do dreno (pacote limitado)

50

Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C

75

Corrente contínua do dreno (1)

15

IDM

Corrente pulsada do dreno (2)

275

Paládio

Dissipaço de poder (1)

3,1

W

Dissipaço de poder, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento

– 55 a 150

°C

EAS

Energia da avalancha, única identificaço =43A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω

92

mJ

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