Transistor de poder 110 A do Mosfet STP110N8F6, MOSFET do poder de STripFET F6 em um pacote TO-220
Number modelo:STP110N8F6
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Termos do pagamento:Paypal, Western Union, TT
Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:TO-220
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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Transistor de poder 110 A do Mosfet STP110N8F6, MOSFET do poder de STripFET F6 em um pacote TO-220
Características
Código de ordem | VDS | RDS (sobre) máximo | Identificaço | PTOT |
STP110N8F6 | 80 V | 0,0065 Ω | 110 A | 200 W |
Em-resistência muito baixa
Baixa carga mesma da porta
Aspereza alta da avalancha
Baixa perda de poder da movimentaço da porta
Aplicações
• Aplicações de comutaço
Descriço
Este dispositivo é um MOSFET do poder do N-canal tornou-se usando a tecnologia de STripFETTM F6 com uma estrutura nova da porta da trincheira. O MOSFET resultante do poder exibe o RDS muito baixo (sobre) em todos os pacotes.
Transistor de poder 110 A do Mosfet STP110N8F6, MOSFET do poder de STripFET F6 em um pacote TO-220
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