Resistência térmica ultra baixa de Circuit NCh NexFET Pwr do motorista do motor do Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg baixa
Number modelo:CSD17308Q3
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Detalhes de empacotamento:SON8
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET do MOSFET 30V NCh NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Características 1
- Aperfeiçoado para a movimentaço da porta 5-V
Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
VSON 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros
2 aplicações
Ponto do caderno da carga
Fanfarro síncrono da Ponto--carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computaço
Descriço 3
Este 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET do poder do milímetro VSON NexFETTM do × 3,3 do milímetro é projetado minimizar perdas em aplicações da converso de poder e aperfeiçoado para aplicações da movimentaço da porta 5-V.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | ||
VDS | tenso da Dreno--fonte | 30 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4,5 V) | 3,9 | nC | |
Qgd | Porta da carga da porta a drenar | 0,8 | nC | |
RDS (sobre) | Dreno--fonte na resistência | VGS = 3 V | 12,5 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 9,4 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 8,2 | mΩ | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,3 | V | |
Informaço pedindo
DISPOSITIVO | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD17308Q3 | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros | Fita e carretel |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C salvo indicaço em contrário | VALOR | UNIDADE | |
VDS | tenso da Dreno--fonte | 30 | V |
VGS | tenso da Porta--fonte | +10/– 8 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 50 | |
Corrente contínua do dreno, TC = 25°C | 44 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | 14 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) | 167 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 2,7 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 28 | ||
TJ, Tstg | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =36A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 65 | mJ |
Resistência térmica ultra baixa de Circuit NCh NexFET Pwr do motorista do motor do Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg baixa
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