MOSFET 12V 9.3mohm do poder do MOSFET N-CH do pulso de disparo do transistor de poder do Mosfet CSD13202Q2
Number modelo:CSD13202Q2
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:WSON-6
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET 12V 9.3mohm do poder do MOSFET N-CH do pulso de disparo do transistor de poder do Mosfet CSD13202Q2
Características 1
- Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal sem chumbo
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros
2 aplicações
Aperfeiçoado para aplicações do interruptor da carga
Armazenamento, tabuletas, e dispositivos Handheld
Aperfeiçoado para aplicações do FET do controle
Ponto da carga Buck Converters síncrono
Descriço 3
Este 12-V, MOSFET do poder de NexFETTM de 7,5 mΩ foi projetado minimizar perdas em aplicações da gesto da converso e da carga de poder. O desempenho térmico excelente das ofertas do × 2 do FILHO 2 para o tamanho do pacote.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VAUE TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 12 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4,5 V) | 5,1 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 0,76 | nC | |
RDS (sobre) | Em-resistência da Dreno--fonte | VGS = 2,5 V | 9,1 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 7,5 | |||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 0,8 | V | |
Informaço do dispositivo
DISPOSITIVO | MEIOS | QTY | PACOTE | NAVIO |
CSD13202Q2 | carretel 7-Inch | 3000 | FILHO 2,00 milímetros de × pacote plástico de 2,00 milímetros | Fita e carretel |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 12 | V |
VGS | Tenso da Porta--fonte | ±8 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (limite do pacote) | 22 | |
Corrente contínua do dreno (1) | 14,4 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) | 76 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 2,7 | W |
TJ, TSTG | Junço de funcionamento, temperatura de armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =20A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 20 | mJ |
MOSFET 12V 9.3mohm do poder do MOSFET N-CH do pulso de disparo do transistor de poder do Mosfet CSD13202Q2
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