MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
Number modelo:CSD17556Q5B
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Shenzhen China
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MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
- Extremamente - baixa resistência
Ultra-baixos Qg e Qgd
Resistência Baixo-térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal sem chumbo
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Ponto do fanfarro síncrono da carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computaço
Correço síncrono
Aplicações ativas do anel-O e do Hotswap
Descriço 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET de um poder de 5 milímetros NexFETTM do × 6 do milímetro é projetado minimizar perdas na correço síncrono e nas outras aplicações da converso de poder.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 30 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4,5 V) | 30 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 7,5 | nC | |
RDS (sobre) | Em-resistência da Dreno--fonte | VGS = 4,5 V | 1,5 | mΩ |
VGS =10V | 1,2 | |||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,4 | V | |
Informaço do dispositivo
DISPOSITIVO | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD17556Q5B | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 5,00 milímetros de × pacote plástico de 6,00 milímetros | Fita e carretel |
CSD17556Q5BT | 250 |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 30 | V |
VGS | Tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 100 | |
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C | 215 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | 34 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (1) (2) | 400 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 3,1 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 191 | ||
TJ, Tstg | Junço de funcionamento, temperatura de armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =100A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 500 | mJ |
MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
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