MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
Number modelo:CSD17313Q2
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
Prazo de entrega:Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento:SON6
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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No 48 Horas
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MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
Características 1
- Aperfeiçoado para a movimentaço da porta 5-V
Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Pb-livre
RoHS complacente
Halogênio-livre
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros
2 aplicações
Conversores de DC-DC
Aplicações da gesto da bateria e da carga
Descriço 3
Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET do poder de NexFETTM do FILHO de 2 milímetros é projetado minimizar perdas em aplicações da converso de poder e aperfeiçoado para aplicações da movimentaço da porta 5-V. O × de 2 milímetros FILHO de 2 milímetros oferece o desempenho térmico excelente para o tamanho do pacote.
Sumário do produto
(1) para todos os pacotes disponíveis, veja o addendum orderable na extremidade da folha de dados.
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 30 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4,5 V) | 2,1 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 0,4 | nC | |
RDS (sobre) | Dreno--fonte na resistência | VGS = 3 V | 31 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 26 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 24 | mΩ | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,3 | V | |
Informaço pedindo
NÚMERO DA PEÇA | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD17313Q2 | 3000 | carretel 13-Inch | FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros | Fita e carretel |
CSD17313Q2T | 250 | carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 30 | V |
VGS | Tenso da Porta--fonte | +10/– 8 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 5 | |
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C | 19 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | 7,3 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) | 57 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 2,4 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 17 | ||
TJ, TSTG | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, único pulso, identificaço =19A, L=0.1mH, RG =25Ω | 18 | mJ |
MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
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