MOSFET do poder de NexFET do N-canal do MOSFET 40V do transistor de poder do Mosfet de CSD18501Q5A
Number modelo:CSD18501Q5A
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:DFN56
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET do poder de NexFET do N-canal do MOSFET 40V do transistor de poder do Mosfet de CSD18501Q5A
Características 1
- Qg e Qgd ultra baixos
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Nível da lógica
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Converso de DC-DC
Retificador síncrono lateral secundário
Controlo do motor da bateria
Descriço 3
Este 40 V, 2,5 mΩ, MOSFET do poder do milímetro NexFETTM do × 6 do FILHO 5 foram projetados minimizar perdas em aplicações da converso de poder.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 40 | V | |
Qg | Total da carga da porta (4,5 V) | 20 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 5,9 | nC | |
RDS (sobre) | Em-resistência da Dreno--fonte | VGS = 4,5 V | 3,3 | mΩ |
VGS =10V | 2,5 | mΩ | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,8 | V | |
Informaço pedindo (1)
Dispositivo | Qty | Meios | Pacote | Navio |
CSD18501Q5A | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros | Fita e carretel |
CSD18501Q5AT | 250 | carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | Tenso da Dreno--fonte | 40 | V |
VGS | Tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 100 | |
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C | 161 | ||
Corrente contínua do dreno (1) | 22 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno (2) | 400 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 3,1 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 150 | ||
TJ, Tstg | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =68A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 231 | mJ |
MOSFET do poder de NexFET do N-canal do MOSFET 40V do transistor de poder do Mosfet de CSD18501Q5A
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