MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7461DP-T1-GE3
Number modelo:SI7139DP-T1-GE3
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Shenzhen China
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Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7461DP-T1-GE3
CARACTERÍSTICAS
- MOSFETs do poder de TrenchFET®
- Categorizaço material:
para definições da conformidade veja por favor www.vishay.com/doc?99912
SUMÁRIO DO PRODUTO | ||
VDS (v) | RDS (sobre) () | Identificaço (a) |
-60 | 0,0145 em VGS = -10 V | -14,4 |
0,0190 em VGS = -4,5 V | -12,6 | |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = °C 25, salvo disposiço em contrário) | |||||
PARMETRO | SÍMBOLO | 10 s | DE ESTADO ESTACIONÁRIO | UNIDADE | |
Tenso da Dreno-fonte | VDS | -60 | V | ||
Tenso da Porta-fonte | VGS | ± 20 | |||
Corrente contínua do dreno (TJ = 150 °C) a | Ta =25°C | Identificaço | -14,4 | -8,6 | |
Ta =70°C | -11,5 | -6,9 | |||
Corrente pulsada do dreno | IDM | -60 | |||
Corrente de fonte contínua (conduço) do diodo a | É | -4,5 | -1,6 | ||
Corrente da avalancha | L = 0,1 mH | IAS | 50 | ||
Única energia da avalancha do pulso | EAS | 125 | mJ | ||
Dissipaço de poder máxima a | Ta =25°C | Paládio | 5,4 | 1,9 | W |
Ta =70°C | 3,4 | 1,2 | |||
Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | TJ, Tstg | -55 a +150 | °C | ||
Recomendações de solda (temperatura máxima) b, c | 260 | ||||
AVALIAÇÕES DA RESISTÊNCIA TÉRMICA | |||||
PARMETRO | SÍMBOLO | TÍPICO | MÁXIMO | UNIDADE | |
A Junço--ambiental máximo | 10 s de t | RthJA | 18 | 23 | °C/W |
De estado estacionário | 52 | 65 | |||
Junço--caso máximo (dreno) | De estado estacionário | RthJC | 1 | 1,3 | |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7461DP-T1-GE3
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