A micro memória Flash CI lasca a série de SST25VF080B 8 Mbit SPI com frequência de pulso de disparo de alta velocidade

a família instantnea de série de 25 séries caracteriza uma de quatro fios, a relaço de SPIcompatible que permite um baixo pacote da pino-contagem que ocupe menos espaço da placa e abaixe finalmente custos de sistema totais. Os dispositivos de SST25VF080B so aumentados com consumo de frequência de funcionamento melhorada e de uma mais baixa potência. As memórias Flash de série de SST25VF080B SPI so fabricadas com tecnologia proprietária, de capacidade elevada do CMOS SuperFlash. O injetor do encapsulamento do projeto e do grosso-óxido da pilha da separaço-porta alcança a melhor confiança e o manufacturability comparados com as aproximações alternativas.

Os dispositivos de SST25VF080B melhoram significativamente o desempenho e a confiança, ao abaixar o consumo de potência. Os dispositivos escrevem (o programa ou apaga) com uma única fonte de alimentaço de 2.7-3.6V para SST25VF080B. A energia total consumida é uma funço da tenso aplicada, atual, e da época da aplicaço. Desde para toda a escala dada da tenso, a tecnologia de SuperFlash usa menos atual para programar e tem um mais curto apaga o tempo, a energia total consumida durante alguns apaga ou programa a operaço é menos do que tecnologias de memória Flash alternativas.

O dispositivo de SST25VF080B é oferecido 8 na ligaço SOIC (200 mil.), 8 o contato WSON (6mm x 5mm), e os 8 pacotes da ligaço PDIP (300 mil.).