Consumo 64Kb 3V de série da baixa potência da microplaqueta de memória Flash FM25CL64B-GTR de F-RAM

Number modelo:FM25CL64B-GTR
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FM25CL64B-GTR Baixo consumo de energia 64Kb Serial 3V F-RAM Memória IC Chips


Descriço:


O FM25CL64B é uma memória no volátil de 64 kilobits que emprega um processo ferroelétrico avançado.Uma memória ferroelétrica de acesso aleatório ou F-RAM no é volátil e executa leituras e gravações como uma RAM.Ele fornece retenço de dados confiável por 38 anos enquanto elimina as complexidades, sobrecarga e problemas de confiabilidade no nível do sistema causados ​​por EEPROM e outras memórias no voláteis.


O FM25CL64B realiza operações de gravaço na velocidade do barramento.Nenhum atraso de gravaço é incorrido.Os dados so gravados na matriz de memória imediatamente após cada byte ter sido transferido com sucesso para o dispositivo.O próximo ciclo de barramento pode começar imediatamente sem a necessidade de polling de dados.Além disso, o produto oferece resistência de gravaço substancial em comparaço com outras memórias no voláteis.O FM25CL64B é capaz de suportar 1014 ciclos de leitura/gravaço, ou 100 milhões de vezes mais ciclos de gravaço do que a EEPROM.


Esses recursos tornam o FM25CL64B ideal para aplicativos de memória no volátil que exigem gravações frequentes ou rápidas.Os exemplos vo desde a coleta de dados, onde o número de ciclos de gravaço pode ser crítico, até controles industriais exigentes, onde o longo tempo de gravaço da EEPROM pode causar perda de dados.


O FM25CL64B oferece benefícios substanciais aos usuários de EEPROM serial como uma substituiço de hardware.O FM25CL64B usa o barramento SPI de alta velocidade, que aprimora a capacidade de gravaço de alta velocidade da tecnologia F-RAM.As especificações do dispositivo so garantidas em uma faixa de temperatura industrial de -40°C a +85°C.


Características padro


RAM no volátil ferroelétrica de 64K bits
 Organizado como 8.192 x 8 bits
 Alta resistência 100 trilhões (1014) leituras/gravações
 Retenço de dados de 38 anos (@ +75ºC)
 Gravações NoDelay™
 Processo Ferroelétrico Avançado de Alta Confiabilidade


Interface Serial Periférica Muito Rápida - SPI
 Frequência de até 20 MHz
 Substituiço direta de hardware para EEPROM
 Modo SPI 0 e 3 (CPOL, CPHA=0,0 e 1,1)


Esquema sofisticado de proteço contra gravaço
 Proteço de hardware
 Proteço de software


Baixo consumo de energia
 Operaço em Baixa Tenso 2,7-3,65V
 200 A Corrente Ativa (1 MHz)
 3 A (típico) Corrente de espera


Configuraço padro da indústria
 Temperatura Industrial -40C a +85C
 Pacotes “Verde”/RoHS SOIC e TDFN de 8 pinos


FM25CL64B-G
FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-DG
FM25CL64B-DGTR


Introduço da companhia:


Eletrônica CM GROUP, Fundada em 2012, tornou-se uma ponte confiável entre os clientes e a fábrica original.A CM GROUP, com base em anos de experiência na indústria de ic e distribuiço de marcas, oferece os melhores e confiáveis ​​produtos e serviços para fabricantes de produtos elétricos e eletrônicos.


Marca principal com fonte forte:

Ultramar: ST, ATMEL, Microchip, Xilinx, , AD, Power

Doméstico: Holtek, XLSEMI

Produtos Principais:Chips MCU, Chips de Memória Flash, Chips IC Programáveis, IC Amplificador, IC de Gerenciamento de Energia, IC de Driver de LED, Transistor de Potência Mosfet, Diodo Retificador de Potência, etc…

Aplicaço principal:Aplicaço industrial e comercial, gerenciamento e controle de energia, driver de LED e LCD, controle de placa de circuito, casa inteligente, indústria espacial, indústria militar, etc…


O que a CM GROUP oferece:

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Consumo 64Kb 3V de série da baixa potência da microplaqueta de memória Flash FM25CL64B-GTR de F-RAM

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