FM24CL04B-GTR 4 - memória não temporária de Kbit, relação rápida da memória Flash de série I2C de FRAM

Number modelo:FM24CL04B
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Capacidade da fonte:100000pcs
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Microplaqueta de memória Flash 4Kbit de FM24CL04B-GTR rapidamente 2 flash de série da relaço de série FRAM do fio


Descriço
O FM24CL04B é uma memória 4-Kbit permanente que emprega um processo ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um F-RAM ferroelectric so permanente e executam leem e escrevem similar a RAM. Fornece a retenço segura dos dados por 151 anos ao eliminar as complexidades, as despesas gerais, e os problemas da confiança do sistema-nível causados por EEPROM e por outras memórias permanentes. Ao contrário de EEPROM, o FM24CL04B executa para escrever operações na velocidade do ônibus. Nenhum escreva atrasos so incorridos. Os dados so redigidos disposiço da memória imediatamente depois de cada byte so transferidos com sucesso ao dispositivo. O ciclo seguinte do ônibus pode começar sem a necessidade para a votaço dos dados. Além, o produto oferece substancial escreve a resistência comparada com outras memórias permanentes. Também, F-RAM exibe um poder muito mais baixo durante escreve do que EEPROM escrevem desde operações no exigem uma tenso de fonte de alimentaço internamente elevado para escrevem circuitos. O FM24CL04B é capaz de apoiar 1014 ciclos de leitura/gravaço, ou 100 milho vezes escreve mais ciclos do que EEPROM. Estas capacidades fazem o ideal para aplicações da memória permanente, exigir de FM24CL04B frequente ou rápido escreve. Os exemplos variam do registro de dados, de onde o número escreve ciclos pode ser crítico, a exigir os controles industriais onde o longos escrevem a época de EEPROM podem causar a perda dos dados. A combinaço de características permite uns dados mais frequentes que escrevem com menos despesas gerais para o sistema. O FM24CL04B fornece benefícios substanciais aos usuários da série (I2C) EEPROM como uma substituiço da reunio informal do hardware. As especificações de dispositivo so garantidas sobre uma variaço da temperatura industrial – de 40 C a +85 C.
Características
memória de acesso aleatório 4-Kbit ferroelectric (F-RAM) logicamente
organizado como 512 o × 8
o trilho da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenço de 151 dados do ano (veja a retenço e a resistência dos dados
na página 10)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Rapidamente relaço de série de 2 fios (I2C)
❐ até a frequência 1-MHz
O ❐ dirige a substituiço do hardware para a série (I2C) EEPROM
O ❐ apoia sincronismos do legado para 100 quilohertz e 400 quilohertz
■Consumo da baixa potência
 do ❐ 100 uma corrente ativa em 100 quilohertz
corrente espera do  A do ❐ 3 (tipo)
■Operaço da tenso: VDD = 2,7 V a 3,65 V
■Temperatura industrial: – 40  C a +85  C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitaço das substncias perigosas (RoHS) complacentes

Aplicações

Industrial, comunicações & trabalhos em rede


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FM24CL04B-GTR 4 - memória não temporária de Kbit, relação rápida da memória Flash de série I2C de FRAM

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