Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A

Number modelo:IRF640NPBF
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Canal 200V 18A do transporte N do MERGULHO de IRF640NPBF que comuta o transistor de poder do MOSFET

Descriço

O MOSFET s do poder do ® da quinta geraço HEXFET do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipaço de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitaço larga durante todo a indústria.
O D2Pakéumpacotede superfíciedopoderdamontagemcapazdaacomodaçoa morrertamanhosatéHEX-4. Forneceacapacidadedopodero mais altoeomais baixopossívelnaresistênciaemtodo opacotede superfícieexistentedamontagem. OD2Pakéapropriadoparaaplicaçõesatuaisaltasdevidoasuabaixaresistênciainternadaconexoepodedissipar-seaté2.0Wem umaaplicaçode superfícietípicadamontagem.
A verso do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicaço do perfil baixo.


Característica


l avançou a tecnologia de processamento

l avaliaço dinmica de dv/dt
l 175°C que opera o emperature de T

l interruptor rápido

l inteiramente avalancha avaliada
l facilidade da paralelizaço
l exigências simples da movimentaço

l sem chumbo


Pacote


China Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A supplier

Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A

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