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Atenuador de Digitas, 30 DB, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220
Características Diagrama esquemático funcional
• Etapas da atenuaço 2-dB a DB 30
• Preciso alta
• Baixo produto da intermodulaço: +50 dBm IP3
• Baixo consumo da alimentaço de DC: µW 50
• Pacote SOIC-16 plástico
• Empacotamento da fita e do carretel disponível
• Estabilidade de temperatura +/--0,15 DB: -40°C a +85°C
Descriço
M/A-COM AT-220 é 4 um bocado, atenuador digital do GaAs MMIC da etapa 2-dB em um pacote plástico da montagem da superfície da ligaço do baixo custo SOIC 16. O AT-220 é serido idealmente para o uso onde a preciso alta, o interruptor rápido, o consumo mesmo da baixa potência e os baixos produtos da intermodulaço so exigidos. As aplicações típicas incluem o equipamento de rádio e celular, LANs sem fio, equipamento de GPS e outros circuitos do ganho/controle nivelado.
O AT-220 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza
passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados.
Pin No. | Funço | Pin No. | Funço |
1 | VC1 | 9 | RF2 |
2 | VC1 | 10 | Terra |
3 | VC2 | 11 | Terra |
4 | VC2 | 12 | Terra |
5 | VC3 | 13 | Terra |
6 | VC3 | 14 | Terra |
7 | VC4 | 15 | Terra |
8 | VC4 | 16 | RF1 |
Parmetro | Máximo absoluto |
Poder entrado: 50 megahertz 500-2000 megahertz | dBm +27 dBm +34 |
Tenso do controle | -8,5 ≤ 5V do ≤ VC de V |
Temperatura de funcionamento | -40°C a +85°C |
Temperatura de armazenamento | -65°C a +150°C |
1. Exceder todo o ou combinaço destes limites pode causar permanente
dano a este dispositivo.
Parmetro | Condições de teste | Frequência | Unidades | Minuto | Tipo | Máximo |
Perda de inserço (estado da referência) | C.C. - 0,5 gigahertz C.C. -1,0 gigahertz C.C. -2,0 gigahertz | DB DB DB | -- -- -- | 1,5 1,6 1,8 | 1,7 1,8 2,1 | |
Preciso 2 da atenuaço | C.C. -1,0 gigahertz C.C. -2,0 gigahertz | DB do ± (0,15 DB + 3% do ajuste de Atten no DB) DB do ± (0,30 DB + 4% do ajuste de Atten no DB) | ||||
VSWR | Relaço | -- | 1.2:1 | -- | ||
Trise, Tfall | 10% a 90% RF, 90% a 10% RF | -- | nS | -- | 12 | -- |
Tonelada, ricalhaço | Controle de 50% a 90% RF, Controle de 50% a 10% RF | -- | nS | -- | 18 | -- |
Transeuntes | Em-faixa | -- | milivolt | -- | 25 | -- |
1 compresso do DB | Poder entrado Poder entrado | 0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz | dBm do dBm | -- -- | 20 28 | -- -- |
IP2 | Medido relativo ao poder entrado (Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada) | 0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz | dBm do dBm | -- -- | 45 68 | -- -- |
IP3 | Medido relativo ao poder entrado (Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada) | 0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz | dBm do dBm | -- -- | 40 50 | -- -- |
Controle atual | |VC| = 5 V | µA | -- | 100 |
2. As especificações da preciso da atenuaço aplicam-se com controle diagonal negativo e baixo aterrar da indutncia.
SOIC-16
Curvas de desempenho típicas