GaAs Ired & foto - transistor, controlador programável TLP504A-2
Number modelo:TLP504A-2
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:4800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP504A, TLP504A−2
C.A. dos controladores programáveis/relé de circuito integrado módulo de DC−Input
TOSHIBA TLP504A e TLP504A−2 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio.
O TLP504A oferece dois canais isolados em um pacote plástico do MERGULHO de oito ligações, quando o TLP504A−2 fornecer quatro canais isolados em um pacote plástico do MERGULHO dezesseis.
• Tenso de Collector−emitter: 55 V (mínimos)
• Relaço de transferência atual: grau (mínimo) GB de 50%: 100% (mínimo)
• Tenso do isolamento: 2500 Vrms (mínimo)
• O UL reconheceu: UL1577,
No. E67349 do arquivo
Pin Configurations (vista superior)
Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)
| Característica | Símbolo | Avaliaço | Unidade | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| Diodo emissor de luz | Corrente dianteira | SE | 60 | 50 | miliampère |
| Derating atual dianteiro | ΔIF/°C | −0.7 (≥ de Ta 39°C) | −0.5 (≥ de Ta 25°C) | miliampère/°C | |
| Pulse para a frente atual | IFP | 1 (100μs pulso, 100pps) | |||
| Tenso reversa | VR | 5 | V | ||
| Temperatura de junço | Tj | 125 | °C | ||
| Detector | Tenso de Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Tenso de Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Corrente de coletor | IC | 50 | miliampère | ||
| Dissipaço de poder do coletor (1 circuito) | PC | 150 | 100 | mW | |
Derating da dissipaço de poder do coletor (1 ≥ do circuito Ta 25°C) | ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | mW/°C | |
| Temperatura de junço | Tj | 125 | °C | ||
| Variaço da temperatura do armazenamento | Tstg | −55~150 | °C | ||
| Variaço da temperatura de funcionamento | Topr | −55~100 | °C | ||
| Temperatura de solda da ligaço | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
| Dissipaço de poder total do pacote | RT | 250 | 150 | mW | |
Derating total da dissipaço de poder do pacote (≥ de Ta 25°C) | ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | mW/°C | |
| Tenso do isolamento | BVS | 2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%) (Nota 1) | Vrms | ||
Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicaço da alta temperatura/atual/tenso e a mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/atual/tenso, etc.) esto dentro das avaliações máximas absolutas.
Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando” das precauções/“que Derating o conceito e os métodos ") e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).
Nota 1: O dispositivo considerou uns dois dispositivo terminal: Os pinos laterais do diodo emissor de luz shorted junto e os pinos do lado do detector shorted junto.
GaAs Ired & foto - transistor, controlador programável TLP504A-2
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