Transistor do Mosfet do poder superior do MOSFET de PowerTrench do N-canal de FDP085N10A

Transistor do Mosfet do poder superior do MOSFET de PowerTrench do N-canal de FDP085N10A

Características

• RDS (sobre) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificaço = 96A

• Velocidade de comutaço rápida

• Baixa carga da porta

• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)

• Poder superior e capacidade de manipulaço atual

• RoHS complacente
Descriço geral
Este MOSFET do N-canal é produzido usando o processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter o desempenho de comutaço superior.
Aplicaço
• C.C. aos conversores de C.C.

• Correço síncrono para a fonte de alimentaço da telecomunicaço

• Carregador de bateria

• Movimentações e fontes de alimentaço ininterrupta do motor de C.A.

• UPS autônomo

Características térmicas

Características de desempenho típicas

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