MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C IC eletrônico Chips NAND Flash Memory

Number modelo:MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000pcs
Prazo de entrega:1 dia
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

32Gb, 64Gb, NAND Features assíncrono/síncrono de 128Gb


NAND Flash Memory

MT29F32G08CBACA, MT29F64G08CEACA, MT29F64G08CFACA, MT29F128G08CXACA, MT29F64G08CECCB

Características

• NAND Flash Interface aberto (ONFI) 2,21 complacentes

• tecnologia da pilha do Múltiplo-nível (MLC)

• Organizaço

– Tamanho de página x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes)

– Tamanho de bloco: 256 páginas (bytes 1024K + 56K)

– Tamanho plano: 2 blocos dos planos x 2048 pelo plano

– Tamanho do dispositivo: 32Gb: 4096 blocos; 64Gb: 8192 blocos; 128Gb: 16.384 blocos


• Desempenho síncrono do I/O

– Até modo cronometrando síncrono 5

– Taxa de pulso de disparo: 10ns (RDA)

– Taxa de transferência de leitura/gravaço pelo pino: 200 MT/s

• Desempenho assíncrono do I/O

– Até modo cronometrando assíncrono 5

tRC/tWC: 20ns (MINUTO)


• Desempenho da disposiço

– Página lida: 50µs (MAX)

– Página do programa: 1300µs (TIPO)

– Apague o bloco: 3ms (TIPO)

• Escala da tenso de funcionamento

– VCC: 2.7-3.6V

– VCCQ: 1.7-1.95V, 2.7-3.6V


• Grupo do comando: ONFI NAND Flash Protocol

• Grupo avançado do comando

– Esconderijo do programa

– Esconderijo lido sequencial

– Esconderijo lido aleatório

– Único modo (OTP) programável

– comandos do Multi-plano

– Multi-LUN operações

– Leia a identificaço original

– Copyback


• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado da fábrica.

Para a CCE exigida mínima, veja a gesto do erro (página 101).

• A RESTAURAÇO (FFh) exigiu como o primeiro comando após o poweron

• O byte de estado da operaço fornece o método do software detectando

– Concluso da operaço

– Condiço da passagem/falha

– Escrever-proteja o estado


• Os sinais do estroboscópio dos dados (DQS) fornecem um método do hardware sincronizando os dados DQ na relaço síncrono

• As operações de Copyback apoiaram dentro do plano de que os dados so lidos

• Qualidade e confiança

– Retenço dos dados: 10 anos

– Resistência: 3000 ciclos de PROGRAM/ERASE


• Temperatura de funcionamento:

– Anúncio publicitário: 0°C a +70°C

– Industrial (a TI): – 40ºC a +85ºC

• Pacote

– 52 almofada LGA

– 48 pino TSOP

– 100 bola BGA


Nota: 1. A especificaço de ONFI 2,2 está disponível em www.onfi.org.


Descriço geral

Os dispositivos de NAND Flash do mícron incluem uma relaço assíncrona dos dados para operações de capacidade elevada do I/O. Estes dispositivos usam um ônibus de 8 bits altamente multiplexado (DQx) para transferir comandos, endereço, e dados. Há cinco sinais de controle usados para executar a relaço assíncrona dos dados: CE#, CLE, CERVEJA INGLESA, WE#, e RE#. Os sinais adicionais controlam o hardware escrevem a proteço (WP#) e monitoram o estado de dispositivo (R/B#).


Este dispositivo de NAND Flash do mícron inclui adicionalmente uma relaço síncrono dos dados para operações de capacidade elevada do I/O. Quando a relaço síncrono é ativa, WE# transforma-se CLK e RE# transforma-se W/R#. Transferências de dados incluem um estroboscópio bidirecional dos dados (DQS).


Esta relaço de hardware cria um baixo dispositivo da pino-contagem com um pinout padro que permaneça o mesmo de uma densidade a outra, permitindo elevações do futuro a umas densidades mais altas sem a placa remodela.


Um alvo é a unidade de memória alcançada por uma microplaqueta permite o sinal. Um alvo contém uns ou vários NAND Flash morre. NAND Flash morre é a unidade mínima que pode independentemente executar comandos e estado do relatório. NAND Flash morre, na especificaço de ONFI, é referido como uma unidade lógica (LUN). Para uns detalhes mais adicionais, veja a organizaço do dispositivo e da disposiço.


Avaliações máximas absolutas pelo dispositivo

ParmetroSímboloMinuto11 máximoUnidade
Entrada da tensoVIN-0,64,6V
Tenso de fonte VCCVCC-0,64,6V
Tenso de fonte de VCCQVCCQ-0,64,6V
Temperatura de armazenamentoTSTG-65150°C

Nota: 1. tenso em algum pino relativo ao VSS.


Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
PIC16F1783-I/SS5323MICROCHIP13+SSOP
MCP73862T-I/SL5620MICROCHIP14+SOIC
PIC16F84A-20/SO4948MICROCHIP16+CONCESSO
LMZ14203HTZ2000SI14+TO-PMOD
LM2671MX-3.32000NSC13+SOP-8
16212886408005+SOP-28
30458305BOSCH10+QFP-64
MC14001BCPG10000EM14+MERGULHO
A8290SETTR-T2000ALLEGRO10+QFN-28
N28F512-1504560INTEL10+PLCC
MMBT2907AK20000FAIRCHILD10+SOT-23
NH82801EB-SL7YC2140INTEL15+BGA
LP5951MFX-3.34776NSC15+SOT-23-5
PCA82C250N484014+MERGULHO
MAX1470EUI-T5300MÁXIMA15+TSSOP
NCP301LSN18T1G10000EM14+SOT23-5
P89V51RC2FN134014+MERGULHO
MX29LV320CTTC-70G11400MXIC16+TSSOP
LMZ12003TZ-ADJ2108NSC13+TO-PMOD-7
ZVNL120GTA7800ZETEX15+SOT223
MBI5016CNS13897FUJITSU10+MERGULHO
LMH6644MTX3643NSC14+TSSOP-14
MAX705CPA+10000MÁXIMA16+MERGULHO
MC145406P7175EM14+MERGULHO
MBC13900NT113775FREESCAL16+ÉBRIO
ATTINY13A-PU3300ATMEL14+DIP-8
LM317AEMP10000NSC14+SOT-223
MC9S08SH4CTG4690FREESCALE10+TSSOP
MC9S08GT8AMFBE4588FREESCALE15+QFP
LM2595S-3.36580NSC14+TO-263

China MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C IC eletrônico Chips NAND Flash Memory supplier

MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C IC eletrônico Chips NAND Flash Memory

Inquiry Cart 0