MOSFET eletrônico do poder do MOSFET HEXFET do canal de IRF7311TRPBF IC Chips Dual N

Number modelo:IRF7311TRPBF

Lugar de origem:Fábrica original

Quantidade de ordem mínima:10pcs

Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte:7600pcs

Prazo de entrega:1 dia

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IRF7311

MOSFET do poder de HEXFET®

Tecnologia da geraço V
Em-resistência ultra baixa
MOSFET duplo do N-canal
Montagem de superfície
Inteiramente avalancha avaliada

Descriço

A quinta geraço HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicaço com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para técnicas de solda da fase de vapor, as infravermelhas, ou da onda.

Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C salvo disposiço em contrário)

		Símbolo	Máximo	Unidades
Tenso da Dreno-fonte		VDS	20	V
Tenso da Porta-fonte		VGS	±12	V
atual ¹ do dreno contínuo	Ta = 25°C	Identificaço	6,6
atual ¹ do dreno contínuo	Ta = 70°C	Identificaço	5,3
Corrente pulsada do dreno		IDM	26
Corrente de fonte contínua (conduço do diodo)		É	2,5
máximo ¹ da dissipaço ^de poder	Ta = 25°C	Paládio	2,0	W
máximo ¹ da dissipaço ^de poder	Ta = 70°C	Paládio	1,3	W
Único ² da energia da avalancha ^do pulso		EAS	100	mJ
Corrente da avalancha		IAR	4,1
Energia repetitiva da avalancha		ORELHA	0,20	mJ
máximo ³ da recuperaço dv/dt ^do diodo		dv/dt	5,0	V/ ns
Variaço da temperatura da junço e do armazenamento		TJ, TSTG	-55 + a 150	°C

Notas:

1. A superfície montou em 1 na placa quadrada do Cu

2. Começando TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.

≤ 4.1A do ISD do 3., ≤ 92A/µs de di/dt, ≤ V de VDD _{(BR) DSS}, ≤ 150°C de TJ

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.

Quantidade

Tipo

D/C

Pacote

IRF3707PBF	6217	IR	11+	TO-220
IRF5210PBF	2546	IR	15+	TO-220
IRF5800TRPBF	54000	IR	16+	TSOP-6
IRF6218PBF	8426	IR	06+	TO-220AB
IRF640NPBF	5610	IR	15+	TO-220
IRF640NSTRLPBF	4905	IR	16+	TO-263
IRF6638TRPBF	4492	IR	13+	SMD
IRF7303TRPBF	15463	IR	14+	SOP-8
IRF7328TRPBF	6288	IR	13+	SOP-8
IRF740B	49000	FSC	16+	TO-220
IRF740PBF	11487	IR	16+	TO-220
IRF7416TRPBF	23190	IR	16+	SOP-8
IRF7494TRPBF	9525	IR	14+	SOP-8
IRF7907TRPBF	12836	IR	13+	SOP-8
IRF8010PBF	17656	IR	16+	TO-220
IRF840PBF	14327	VISHAY	16+	TO-220
IRF8788TRPBF	21214	IR	12+	SOP-8
IRF9530NPBF	5539	IR	16+	TO-220
IRF9620PBF	3435	VISHAY	13+	TO-220
IRF9Z24N	9496	IR	16+	TO-220
IRFB3004PBF	8497	IR	09+	TO-220
IRFB31N20D	6973	IR	14+	TO-220
IRFB3207ZPBF	16234	IR	15+	TO-220
IRFB3306PBF	7959	IR	13+	TO-220
IRFB4227PBF	14319	IR	16+	TO-220
IRFB4310PBF	7645	IR	16+	TO-220
IRFB4332PBF	5199	IR	16+	TO-220
IRFB4332PBF	4735	IR	16+	TO-220
IRFB52N15DPBF	7716	IR	15+	TO-220
IRFI4019HG-117P	4847	IR	14+	TO-220-5

Etiquetas de Produtos:

mosfet do igbt igbt do mosfet Mosfet de canal n

MOSFET eletrônico do poder do MOSFET HEXFET do canal de IRF7311TRPBF IC Chips Dual N

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