Porta de NAND eletrônica da entrada de 74HC00D IC Chips Quad 2

Number modelo:74HC00D
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7300pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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74HC00; 74HCT00
Porta de NAND da entrada do quadrilátero 2

CARACTERÍSTICAS
• Cumpre com o no. padro 8-1A de JEDEC
• Proteço do ESD:
HBM EIA/JESD22-A114-A excede 2000 V
O milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V
• Especificado de −40 ao °C +85 e de −40 a +125 °C.

DESCRIÇO
Os 74HC00/74HCT00 so dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e so pino compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). So especificados em conformidade com no. padro 7A de JEDEC.

Os 74HC00/74HCT00 fornecem a funço do NAND de 2 entradas.

DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA
TERRA = 0 V; Tamb = °C 25; tr = tf = 6 ns.

SÍMBOLOPARMETROCIRCUNSTNCIASTÍPICOUNIDADE
74HC0074HCT00
tPHL/tPLHnA do atraso de propagaço, N.B. ao nYCL = 15 PF; VCC = 5 V710ns
CIcapacidade da entrada3,53,5PF
CPDcapacidade da dissipaço de poder pela portanotas 1 e 22222PF

Notas
1. O CPD é usado para determinar a dissipaço de poder dinmica (paládio no µW).
× VCC do paládio = do CPD × do fi de 2 × N + Σ (× 2 FO do × VCC do CL) onde:
frequência do fi = da entrada no megahertz;
frequência das FO = da saída no megahertz;
Capacidade da carga do CL = da saída no PF;
VCC = tenso de fonte nos volts;
N = saídas de comutaço da carga total;
Σ (× FO do × VCC2 do CL) = soma das saídas.
2. Para 74HC00 a circunstncia é VI = terra a VCC.
Para 74HCT00 a circunstncia é VI = terra VCC ao − 1,5 V.

Configuraço de Pin Fig.1 DIP14, SO14 e (T) SSOP14.


Configuraço de Pin Fig.2 DHVQFN14. Diagrama de lógica Fig.3 (uma porta).














Diagrama da funço Fig.4. Símbolo de lógica do IEC Fig.5.



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