TRIAC PADRÃO do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder de BTA16-600BRG

Number modelo:BTA16-600B
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7600pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
MAX6301CSA3120MÁXIMA14+SOP8
MUR1520G3120EM14+TO-220
TPS71501DCKR3120SI14+SC70-5
ULN2803LW3120ALLEGRO16+SOP18
LTC1728ES53122LINEAR16+SOT153
NC7WZ16P6X3125FAIRCHILD13+SOT-363
MBi5026GF3130MBI15+SOP24
DS15BA101SDE3144NS16+LLP16
L6569AD0133145ST16+SOP-8
PIC12F683-I/P3145MICROCHIP14+DIP8
IR2110S3168IR14+SOP16
HD74LS48P3174HITACHI14+MERGULHO
2N54583200FAIRCHILD16+TO-92
2SC26553200TOSHIBA16+TO-92L
2SK4053200NEC13+SOT523
ATMEGA64-16AU3200ATMEL15+QFP
B3F-10003200OMRON16+MERGULHO
CD4046BE3200SI16+MERGULHO
HCPL45033200FSC14+MERGULHO
HEF4538BP320014+MERGULHO
IPD090N03320014+TO-252
IRL3803S3200IR16+TO-263
KA35253200FSC16+DIP-16
L9822EPD3200ST13+SOP-20
LM4040CIM3-2.53200NS15+SOT-23
MAX3386ECUP-T3200MÁXIMA16+TSSOP
MC14504BCP3200MOT16+MERGULHO
PIC18F8680-I/PT3200MICROCHIP14+QFP
SG35253200ST14+MERGULHO
SN74AHCT594PWR3200SI14+TSSOP

BTB16 B

TRIAC DO PADRO


CARACTERÍSTICAS

. CAPACIDADE ALTA DA CORRENTE DE IMPULSO

. COMUTAÇO: (dV/dt) c > 10V/µs

. Família de BTA:

TENSO de ISOLAMENTO = 2500V (RMS)

(O UL RECONHECEU: E81734)


DESCRIÇO

A família do TRIAC de BTA/BTB16 B é dispositivos passivated de vidro do elevado desempenho PNPN.

Estas peças so suitables para as aplicações de uso geral onde a capacidade alta da corrente de impulso é exigida. Aplicaço tal como o controle de fase e o interruptor estático na carga indutiva ou resistive.


AVALIAÇÕES ABSOLUTAS (valores de limitaço)

SímboloParmetroValorUnidade
A TI (RMS)

Corrente do em-estado do RMS

(ngulo da conduço 360°)

BTATc = °C 8016
BTBTc = °C 90
ITSM

Corrente máxima do em-estado do impulso no repetitivo

(Tj = 25°C) inicial

tp = Senhora 8,3170
tp = Senhora 10160
I2tIvalorde2ttp = Senhora 10128Uns2s
dI/dt

Taxa crítica de elevaço da corrente do em-estado

Fonte da porta: IG = 500mA diG/dt = 1A/µs


Repetitivo

F = 50 hertz

10A/µs
No repetitivo50

Tstg

Tj

Variaço da temperatura da junço do armazenamento e do funcionamento

- 40 + a 150

- 40 + a 125

°C
TlTemperatura máxima da ligaço para soldar durante 10 s em 4,5 milímetros do caso260°C

DADOS MECNICOS DO PACOTE

Plástico de TO220AB


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TRIAC PADRÃO do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder de BTA16-600BRG

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