Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF
Number modelo:IRFZ44NPBF
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8700pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| STU404D | 5000 | SAMHOP | 15+ | TO252 |
| TB6560AHQ | 5000 | TOSHIBA | 16+ | FECHO DE CORRER |
| TC4001BP | 5000 | TOSHIBA | 16+ | DIP-14 |
| TCA785 | 5000 | INFINECN | 14+ | MERGULHO |
| TCN75AVOA | 5000 | MICROCHIP | 14+ | SOIC-8 |
| TCN75AVOA713 | 5000 | MICROCHIP | 14+ | SOP8 |
| TDA1524A | 5000 | 16+ | MERGULHO | |
| TL072CP | 5000 | SI | 16+ | DIP8 |
| TLP127 | 5000 | TOSHIBA | 13+ | CONCESSO |
| TLP620-4 | 5000 | TOSHIBA | 15+ | MERGULHO |
| TOP244YN | 5000 | PODER | 16+ | TO-220 |
| TS274CDT | 5000 | ST | 16+ | SOP-14 |
| TS924AIDT | 5000 | ST | 14+ | SOP-14 |
| ST DE UC3844BD | 5000 | ST | 14+ | SOP8 |
| UDA1341TS | 5000 | 14+ | SSOP28 | |
| VIPER22A | 5000 | ST | 16+ | DIP-8 |
| VLF4012AT-4R7M1R1 | 5000 | TDK | 16+ | SMD |
| PBSS5160T | 5001 | 13+ | SOT-23 | |
| PL2303 | 5001 | PROLÍFICO | 15+ | SSOP |
| NDT451AN | 5002 | FSC | 16+ | SOT223 |
| MAX1681ESA | 5008 | MÁXIMA | 16+ | SOP8 |
| HFJ11-2450E-L12 | 5009 | HALOELECT | 14+ | RJ45 |
| L6598 | 5010 | ST | 14+ | SOP16 |
| ZM4744A | 5100 | VISHAY | 14+ | LL41 |
| HCNW136 | 5101 | AVAGO | 16+ | DIP8 |
| CQ1565RT | 5111 | FAIRCHILD | 16+ | TO-220 |
| FZT758TA | 5111 | ZETEX | 13+ | SOT223 |
| LM324DR | 5111 | SI | 15+ | SOP-14 |
| TFA9842 | 5112 | 16+ | FECHO DE CORRER | |
| MAX483ESA | 5117 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
IRFZ44NPbF
MOSFET do poder de HEXFET®
- Tecnologia de processamento avançada?
- Em-resistência ultra baixa?
- Avaliaço dinmica de dv/dt?
- temperatura de funcionamento 175°C?
- Interruptor rápido?
- Inteiramente avalancha avaliada?
- Sem chumbo
VDSS = 55V
RDS (sobre) = 17.5mΩ
Identificaço = 49A
Descriço
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipaço de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitaço larga durante todo a indústria.
Avaliações máximas absolutas
| Parmetro | Máximo. | Unidades | |
| Identificaço @ TC = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 49 | |
| Identificaço @ TC = 100°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 35 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno? | 160 | |
| Paládio @TC = 25°C | Dissipaço de poder | 94 | W |
| Fator Derating linear | 0,36 | W/°C | |
| VGS | Tenso da Porta--fonte | ± 20 | V |
| IAR | Corrente da avalancha? | 25 | |
| ORELHA | Energia repetitiva da avalancha? | 9,4 | mJ |
| dv/dt | Recuperaço máxima dv/dt do diodo | 5,0 | V/ns |
TJ TSTG | Junço de funcionamento e Variaço da temperatura do armazenamento | -55 + a 175 | °C |
| Temperatura de solda, por 10 segundos | 300 (1.6mm do caso) | °C | |
| Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 | 10 lbf•em (1.1N•m) |
Esboço do pacote de TO-220AB
As dimensões so mostradas nos milímetros (as polegadas)
Informaço de marcaço da peça de TO-220AB
Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF
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