MOSFET do poder do N-canal dos dispositivos eletrónicos dos componentes da eletrônica do transistor de IRFP150N
Number modelo:IRFP150N
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:6300pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Dispositivos eletrónicos dos componentes da eletrônica do transistor de IRFP150N
MOSFET do poder do N-canal
Características
• Em-resistência ultra baixa - RDS (SOBRE) = 0.030Ω, VGS = 10V
• Modelos da simulaço
- Modelos elétricos compensados temperatura de PSPICE™ e de SABER©
- Especiaria e de impedncia de SABER© modelos térmicos
- www.fairchildsemi.com
• Corrente máxima contra a curva da largura de pulso
• Curva da avaliaço de UIS
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | AFIADO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | SI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | SI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | SI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| TAMPO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| TAMPO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | BANDEJA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| TAMPO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | SI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| TAMPO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| TAMPO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L do RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| TAMPO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Avaliações máximas absolutas TC = 25oC, salvo disposiço em contrário
Drene tenso da fonte (nota 1)……………………. VDSS 100 V
Drene para bloquear a tenso (RGS = 20kΩ) (nota 1)……………… VDGR 100 V
Porta tenso da fonte…………………. ………. VGS ±20 V
Drene contínuo atual (TC= 25oC, VGS = 10V) (figura 2)…. ………… IDENTIFICAÇO
(TC= 100oC, VGS = 10V) (figura 2)………… identificaço contínua
Corrente pulsada do dreno……………………. .IDM 44 31
Figura 4 uma avaliaço pulsada A………………… .UIS da avalancha
Figuras 6, 14, paládio da dissipaço de poder 15…………………
Derate acima de 25oC…………………… 155 1,03 W W/oC
Temperatura……… TJ do funcionamento e de armazenamento, TSTG -55 a 175 OC
Temperatura máxima para ligações de solda em 0.063in (1.6mm) do argumento para 10s. …. .TL
O corpo do pacote para 10s, considera Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 OC OC
MOSFET do poder do N-canal dos dispositivos eletrónicos dos componentes da eletrônica do transistor de IRFP150N
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