Transistor de poder fresco do transistor MOS™ do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn SPA04N60C3XKSA1
Number modelo:SPA04N60C3
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8700pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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SPP04N60C3, SPB04N60C3
Dados finais SPA04N60C3
Transistor de poder fresco de MOSô
| VDS @ Tjmax | 650 | V |
| RDS (sobre) | 0,95 | Ω |
| Identificaço | 4,5 |
Característica
• Tecnologia de alta tenso revolucionária nova
• Carga ultra baixa da porta
• A avalancha periódica avaliou
• Dv/dt extremo avaliou
• Capacidade atual máxima alta
• Transcondutncia melhorada
• P-TO-220-3-31: Pacote inteiramente isolado (2500 VAC; 1 minuto)
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Avaliações máximas
| Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
| SPP_B | TERMAS | |||
Corrente contínua do dreno TC = °C 25 TC = °C 100 | Identificaço | 4,5 2,8 | 4,51) 2,81) | |
| A corrente pulsada do dreno, tp limitou por Tjmax | Puls da identificaço | 13,5 | 13,5 | |
| Energia da avalancha, única identificaço =3.4 do pulso, VDD =50V | EAS | 130 | 130 | mJ |
| Energia da avalancha, alcatro repetitivo limitados pela identificaço =4.5A de Tjmax 2), VDD =50V | ORELHA | 0,4 | 0,4 | mJ |
| Avalancha atual, alcatro repetitivo limitado por Tjmax | IAR | 4,5 | 4,5 | |
| Estática da tenso de fonte de porta | VGS | ±20 | ±20 | V |
| C.A. da tenso de fonte de porta (f >1Hz) | VGS | ±30 | ±30 | |
| Dissipaço de poder, TC = 25°C | Ptot | 50 | 31 | W |
| Temperatura do funcionamento e de armazenamento | Tj, Tstg | -55… +150 | °C | |
Drene a inclinaço da tenso da fonte | dv/dt | 50 | V/ns | |
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)
P-TO-220-3-31 (FullPAK)
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| MC14536BDWR2G | 6563 | EM | 16+ | CONCESSO |
| LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | LINEAR | 16+ | MSOP |
| MC4741CD | 3556 | MOT | 16+ | CONCESSO |
| PIC10F322T-I/OT | 9250 | MICROCHIP | 16+ | ÉBRIO |
| MC14584BDR2G | 10000 | EM | 16+ | CONCESSO |
| LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14+ | SOP-16 |
| MC145152DW2 | 5186 | FREESCAL | 15+ | CONCESSO |
| MC78M05CDTX | 10000 | FAI | 16+ | SOT-252 |
| MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | FUJITSU | 16+ | PLCC |
| L6563TR | 3752 | ST | 15+ | SOP14 |
| MUR1560G | 7604 | EM | 16+ | TO-220 |
| MUR840G | 7300 | EM | 16+ | TO-220 |
| MMSZ4682T1G | 25000 | EM | 16+ | SOD-123 |
| MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | FREESCALE | 16+ | SOIC |
| MB8431-90LPFQ | 3226 | FUJI | 16+ | QFP |
| MMSZ5246BT1G | 30000 | EM | 16+ | SOD-123 |
| LM5642MTCX | 1833 | NSC | 14+ | TSSOP-28 |
| PIC16F1829-I/SS | 5263 | MICROCHIP | 16+ | SSOP |
| L4940V12 | 3675 | ST | 14+ | TO-220 |
| RA8875L3N | 1200 | RAIO | 15+ | TQFP-100 |
| MB8421-90LPFQ-GE1 | 3165 | FUJI | 14+ | QFP |
Transistor de poder fresco do transistor MOS™ do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn SPA04N60C3XKSA1
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