Transistor 19A do Mosfet do poder do mosfet CI do poder IRF9540, 100V, 0,200 ohms, MOSFETs do poder do P-canal
Number modelo:IRF9540
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8600pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 ohms, MOSFETs do poder do P-canal
Estes so transistor de efeito de campo do poder da porta de silicone do modo do realce do P-canal. So MOSFETs avançados do poder projetados, testados, e garantidos suportar um nível especificado de energia no modo da avalancha da diviso de operaço. Todos estes MOSFETs do poder so projetados para aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores de comutaço, motoristas do motor, motoristas do relé, e motoristas para os transistor de interruptor bipolares do poder superior que exigem o poder de alta velocidade e baixo da movimentaço da porta. Podem ser operados diretamente dos circuitos integrados.
Tipo anteriormente desenvolvente TA17521.
Características
• 19A, 100V
• RDS (SOBRE) = 0.200Ω
• A única energia da avalancha do pulso avaliou
• SOA é dissipaço de poder limitada
• Velocidades de interruptor do nanossegundo
• Características de transferência lineares
• Impedncia entrada alta
• Literatura relacionada - TB334 “diretrizes para componentes de superfície de solda da montagem s placas de PC”
Avaliações máximas absolutas TC = 25℃, salvo disposiço em contrário
| PARMETRO | SÍMBOLO | IRF9540, RF1S9540SM | UNIDADES |
| Drene tenso da fonte (nota 1) | VDS | -100 | V |
| Drene para bloquear a tenso (RGS = 20kΩ) (nota 1) | VDGR | -100 | V |
Corrente contínua do dreno TC = 100℃ | Identificaço | -19 -12 | |
| Corrente pulsada do dreno (nota 3) | IDM | -76 | |
| Porta tenso da fonte | VGS | ±20 | V |
| Dissipaço de poder máxima (figura 1) | Paládio | 150 | W |
| Fator Derating linear (figura 1) | 1 | W/℃ | |
| Única avaliaço da energia da avalancha do pulso (nota 4) | EAS | 960 | mJ |
| Temperatura do funcionamento e de armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Temperatura máxima para soldar Ligações em 0.063in (1.6mm) do argumento para 10s O corpo do pacote para 10s, considera Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma única avaliaço do esforço e a operaço do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada.
NOTA: 1. TJ = 25℃ a 150℃.
Símbolo
Empacotamento
JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB
Circuitos e formas de onda do teste
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| L8581AAE | 2861 | LUCENT | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | EM | 10+ | SOP-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | SOT-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | MÁXIMA | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
Transistor 19A do Mosfet do poder do mosfet CI do poder IRF9540, 100V, 0,200 ohms, MOSFETs do poder do P-canal
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