Poder complementar DarliCM GROUPon Transistors do silicone do transistor do Mosfet do poder TIP122
Number modelo:TIP122
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:6800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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TIP120/121/122
TIP125/126/127
TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLICM GROUPON DO SILICONE
■STMicroelectronics PREFERIU SALESTYPES
DESCRIÇO
Os TIP120, os TIP121 e os TIP122 so transistor de poder da Epitaxial-base NPN do silicone na configuraço monolítica de DarliCM GROUPon montada no pacote plástico de Jedec TO-220. Intented para o uso em aplicações lineares e comutando do poder. Os tipos complementares de PNP so TIP125, TIP126 e TIP127, respectivamente.
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade | |||
| NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
| PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
| VCBO | Tenso da Coletor-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor (IB = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VEBO | DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO (IC = 0) | 5 | V | |||
| IC | Corrente de coletor | 5 | ||||
| ICM | Corrente máxima do coletor | 8 | ||||
| IB | Corrente baixa | 0,1 | ||||
| Ptot | Dissipaço total no ℃ do ≤ 25 de Tcase ℃ do ≤ 25 de Tamb | 65 2 | W | |||
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -65 a 150 | ℃ | |||
| Tj | Temperatura de junço de Máximo Operating | 150 | ℃ | |||
TO-220 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO
Poder complementar DarliCM GROUPon Transistors do silicone do transistor do Mosfet do poder TIP122
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