Módulo 600V do Mosfet do poder de FGH60N60SFDTU, parada de campo 60A IGBT
Number modelo:FGH60N60SFD
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:Negocie
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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No 48 Horas
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FGH60N60SFD
600V, parada de campo 60A IGBT
Características
• Capacidade atual alta
• Baixa tenso de saturaço: VCE (se sentou) =2.3V @ IC = 60A
• Impedncia alta da entrada
• Interruptor rápido
• RoHS complacente
Aplicações
• Aquecimento de induço, UPS, SMPS, PFC
Descriço geral
Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações do aquecimento de induço, do UPS, do SMPS e do PFC onde a baixa conduço e as perdas de comutaço so essenciais.
Avaliações máximas absolutas
| Símbolo | Descriço | Avaliações | Unidades |
| VCES | Coletor tenso do emissor | 600 | V |
| VGES | Porta tenso do emissor | ± 20 | V |
| IC | Corrente de coletor @ TC = 25℃ | 120 | |
| Corrente de coletor @ TC = 100℃ | 60 | ||
| ICM (1) | Corrente de coletor pulsada @ TC = 25℃ | 180 | |
| Paládio | Dissipaço de poder máxima @ TC = 25℃ | 378 | W |
| Dissipaço de poder máxima @ TC = 100℃ | 151 | W | |
| TJ | Temperatura de junço de funcionamento | -55 a +150 | ℃ |
| Tstg | Variaço da temperatura do armazenamento | -55 a +150 | ℃ |
| TL | Temp máximo da ligaço. para finalidades de solda, 1/8" do argumento por 5 segundos | 300 | ℃ |
Notas: 1: Teste repetitivo, largura de pulso limitada pela temperatura máxima do juntion
Dimensões mecnicas
TO-247AB (CÓDIGO 001 DO PACOTE DE FKS)
Módulo 600V do Mosfet do poder de FGH60N60SFDTU, parada de campo 60A IGBT
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