Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone
Number modelo:2N6038
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone
Os transistor de poder complementares plásticos do silicone de DarliCM GROUPon so projetados para o amplificador de uso geral e aplicações de comutaço low−speed.
• Ganho atual alto de C.C. — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 CAD
• Tenso de sustentaço do Coletor-emissor — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidade atual polarizada da segunda diviso IS/b = 1,5 CAD @ 25 VDC
• Construço monolítica com os resistores incorporados do emissor de base multiplicaço de LimitELeakage
• Pacote plástico alto da relaço TO-225AA do Desempenho--custo da Espaço-economia
| Avaliaço | Símbolo | Valor | Unidade |
Tenso 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCEO | 40 60 80 | VDC |
Tenso 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCBO | 40 60 80 | VDC |
| Tenso de Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VDC |
Corrente de coletor Contínuo Pico | IC | 4,0 8,0 | CAD Apk |
| Corrente baixa | IB | 100 | mAdc |
Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 40 320 | W mW/°C |
Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 1,5 12 | W mW/°C |
| Variaço da temperatura da junço do funcionamento e do armazenamento | TJ, Tstg | – 65 a +150 | °C |
| Característica | Símbolo | Máximo | Unidade |
| Resistência térmica, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Resistência térmica, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas so avaliações do esforço somente. A operaço funcional acima das condições operacionais recomendadas no é implicada. A exposiço estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.
| Característica | Símbolo | Minuto | Máximo | Unidade |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | ||||
Tenso de sustentaço de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCEO (sus) | 40 60 80 | -- -- -- | VDC |
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 | ICEO | -- -- -- | 100 100 100 | A |
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 | ICEX | -- -- -- -- -- -- | 100 100 100 500 500 500 | A |
Corrente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 | ICBO | -- -- -- | 0,5 0,5 0,5 | mAdc |
| Corrente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| EM CARACTERÍSTICAS | ||||
Ganho atual de C.C. (IC = 0,5 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) | hFE | 500 750 100 | -- 15.000 -- | -- |
Tenso de saturaço de Collector−Emitter (IC = 2,0 CAD, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) | VCE (se sentou) | -- -- | 2,0 3,0 | VDC |
Tenso de saturaço de Base−Emitter (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) | VBE (se sentou) | -- | 4,0 | VDC |
Base−Emitter na tenso (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) | VBE (sobre) | -- | 2,8 | VDC |
| CARACTERÍSTICAS DINMICAS | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CAD, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megahertz) | |hfe| | 25 | -- | -- |
Capacidade de saída (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 | Espiga | -- -- | 200 100 | PF |
Os *Indicates JEDEC registraram dados.
Mosfet complementar plástico do poder de DarliCM GROUPon, transistor de poder 2N6038 do silicone
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