Transistor Epitaxial 2SC5200 do Mosfet do poder do transistor do silicone de NPN

Number modelo:2SC5200
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalhes do produto

2SC5200/FJL4315

Transistor Epitaxial do silicone de NPN


Aplicações

• Amplificador das saídas de áudio da alta fidelidade

• Amplificador de potência de uso geral


Características

• Capacidade atual alta: IC = 15A.

• Dissipaço de poder superior: 150watts.

• De alta frequência: 30MHz.

• Alta tenso: VCEO=230V

• S.O.A largo para a operaço segura.

• Linearidades excelentes do ganho para baixo THD.

• Complemento a 2SA1943/FJL4215.

• Os modelos térmicos e elétricos da especiaria esto disponíveis.

• O mesmo transistor está igualmente disponível dentro:

-- Pacote de TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 watts

-- TO220 pacote, FJP5200: 80 watts

-- Pacote de TO220F, FJPF5200: 50 watts


Ratings* máximo absoluto Ta = 25°C salvo disposiço em contrário

SímboloParmetroAvaliaçõesUnidades
BVCBOTenso da Coletor-base230V
BVCEOTenso do Coletor-emissor230V
BVEBOTenso da Emissor-base5V
ICCorrente de coletor (C.C.)15
IBCorrente baixa1,5
Paládio

Dissipaço total do dispositivo (TC =25°C)

Derate acima de 25°C

150

1,04

W

W/°C

TJ, TSTGTemperatura da junço e de armazenamento- 50 ~ +150°C

* estas avaliações so os valores de limitaço acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada.


Characteristics* térmico Ta=25°C salvo disposiço em contrário

SímboloParmetroMáximoUnidades
RθJCResistência térmica, junço a encaixotar0,83°C/W

* dispositivo montado no tamanho mínimo da almofada


classificaço do hFE

ClassificaçoRO
hFE155 ~ 11080 ~ 160

Características típicas


Dimensões do pacote


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