Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF
Number modelo:IRFB4229PBF
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:9000 unidades
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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INTERRUPTOR IRFB4229PbF de PDP
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Características?
• Tecnologia de processamento avançada?
• Os parmetros chaves aperfeiçoados para PDP sustentam, recuperaço de energia e aplicações do interruptor da passagem?
• A baixa avaliaço de EPULSE para reduzir a dissipaço de poder em PDP sustenta,
Aplicações do interruptor da recuperaço e da passagem de energia?
• Baixo QG para a resposta rápida?
• Capacidade repetitiva alta da corrente de pico para a operaço segura?
• Queda curto & tempos de elevaço para o interruptor rápido?
• temperatura de junço 175°C de funcionamento para a aspereza melhorada?
• Capacidade repetitiva da avalancha para o vigor e a confiança
Parmetros chaves
| Minuto de VDS | 250 | V |
| Tipo de VDS (avalancha). | 300 | V |
| Tipo do RDS (SOBRE). @ 10V | 38 | mΩ |
| IRP máximo @ TC = 100°C | 91 | |
| TJ máximo | 175 | °C |
Descriço???
Este MOSFET do poder de HEXFET® é projetado especificamente para Sustain; Aplicações do interruptor da recuperaço & da passagem de energia nos painéis de exposiço do plasma. Este MOSFET utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone e a baixa avaliaço de EPULSE. As características adicionais deste MOSFET esto a uma temperatura de junço 175°C de funcionamento e capacidade repetitiva alta da corrente de pico. Estas características combinam para fazer a este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para PDP que conduz aplicações.
Avaliações máximas absolutas
| Parmetro | Máximo. | Unidades | |
|---|---|---|---|
| VGS | Tenso da Porta--fonte | ±30 | V |
| Identificaço @ TC = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 46 | |
| Identificaço @ TC = 100°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 33 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno | 180 | |
| IRP @ TC = 100°C | Corrente máxima repetitiva? | 91 | |
| Paládio @TC = 25°C | Dissipaço de poder | 330 | W |
| Paládio @TC = 100°C | Dissipaço de poder | 190 | W |
| Fator Derating linear | 2,2 | W/°C | |
| TJ TSTG | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | -40 + a 175 | °C |
| Temperatura de solda por 10 segundos | 300 | °C | |
| Montando o torque, o 6-32 ou o parafuso M3 | 10lbin (1.1Nm) | N |
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| HIP4080AIBZT | 3925 | INTERSIL | 15+ | CONCESSO |
| TNY266PN | 3970 | PODER | 16+ | DIP7 |
| LM7912CT | 3990 | NS | 16+ | TO-220 |
| HCNW4503 | 3991 | AVAGO | 14+ | SOP8DIP8 |
| ICL7650SCBA | 3996 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
| LM2575HVT-ADJ | 3997 | NS | 14+ | TO-220 |
| MUR3020PT | 3997 | EM | 16+ | TO-3P |
| IRFR5305 | 3998 | IR | 16+ | TO-252 |
| MJ802 | 3998 | EM | 13+ | TO-3 |
| LBAT54XV2T1G | 3999 | EM | 15+ | SOD-523 |
| VN10LFTA | 3999 | ZETEX | 16+ | SOT23 |
| 1N5341B | 4000 | EM | 16+ | CASE17 |
| 1N5343B | 4000 | EM | 14+ | DO-02 |
| 2SC2383 | 4000 | TOSHIBA | 14+ | TO-92 |
| 2SC3807 | 4000 | SANYO | 14+ | TO-126 |
| 2SK170BL | 4000 | TOSHIBA | 16+ | TO-92 |
| 74HC174D | 4000 | 16+ | SOP-16 | |
| 74LVC245AD | 4000 | 13+ | CONCESSO | |
| AD8572ARZ | 4000 | ANÚNCIO | 15+ | SOP8 |
| AT24C512C-SSHD-T | 4000 | ATEML | 16+ | SOP8 |
| BCV48 | 4000 | 16+ | SOT-89 | |
| BD137 | 4000 | ST | 14+ | TO-126 |
| BTS721L1 | 4000 | 14+ | SOP-20 | |
| CD4027BE | 4000 | SI | 14+ | MERGULHO |
| CPC1017N | 4000 | CLARE | 16+ | SOP4 |
| IRF7307 | 4000 | IR | 16+ | SOP8 |
| IRFR210 | 4000 | IR | 13+ | SOT-252 |
| LT1963AEST-3.3 | 4000 | LT | 15+ | SOT-223 |
| MIC4424BN | 4000 | MICREL | 16+ | DIP8 |
| MICROSMD050F-2 | 4000 | TYCO | 16+ | SMD |
Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF
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