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Programa CI Chip Memory IC do transistor do Mosfet do poder de NTR2101PT1G

Number modelo:NTR2101PT1G

Lugar de origem:Malásia

Quantidade de ordem mínima:100pcs

Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte:30000PCS

Prazo de entrega:1 dia

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Dos Estados-activa

Shenzhen China

Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.

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Detalhes do produto Perfil da empresa

Detalhes do produto

MOSFET pequeno −8.0 V do sinal, −3.7 A, único P−Channel, SOT−23

Características

• Tecnologia de conduço da trincheira para o baixo RDS (sobre)

• −1.8 V avaliou para a movimentaço da porta da baixa tenso

• Montagem SOT−23 de superfície para a pegada pequena (3 x 3 milímetros)

• O pacote de Pb−Free está disponível

Aplicações

• Interruptor lateral alto da carga

• Converso de DC−DC

• Telefone celular, caderno, PDAs, etc.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

Tenso VDSS −8.0 V de Drain−to−Source

Tenso VGS ±8.0 V de Gate−to−Source

≤ contínuo 10 s da corrente do dreno (nota 1) t Ta = 25°C identificaço −3.7 Ta = 70°C −3.0

Paládio 0,96 W do ≤ 10 s da dissipaço de poder (nota 1) t

Dreno pulsado atual tp = 10 s IDM −11 A

Temperatura de funcionamento TJ da junço e de armazenamento, TSTG −55 ao °C 150

A corrente de fonte (diodo do corpo) É −1.2 A

Temperatura da ligaço para o °C de solda do TL 260 das finalidades (1/8 de ″ do argumento para 10 s)

PARTE DO ESTOQUE

Etiquetas de Produtos:

chip r2a20250 chipset Intel Xeon Número de mosfetic

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