Transistor do Mosfet da baixa potência Dmg2307l-7, ponto baixo do módulo do mosfet do poder na resistência

Number modelo:DMG2307L-7
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:290PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE

2SD1408Y3000TOSHIBA16+TO-220F
10TPB47M9000SANYO16+SMD
F931A106MAA1950NICHILON14+SMD
AM26LS32ACNSR1600SI13+SOP-16
10TPC68M9000SANYO15+SMD
10TPB33M9000SANYO15+SMD
A6251M5800SANKEN11+DIP-8
A6251M2230SANKEN16+DIP-8
H10613460BATA14+TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I100XILINX15+BGA
FSDM0265RN3460FAIRCHILD16+DIP-8
MOC30835588FSC16+MERGULHO
GP1A52HRJ00F3460AFIADO15+MERGULHO
PIC24FJ128GB106-I/PT4173MICROCHIP15+TQFP
C393C1380NEC16+DIP-8
DS1220AD-100IND+500DALLAS15+DIP-24
ME15N10-G5956MATSU16+TO-252
D3SB602200SHINDENGE14+TO-220
FT2232D3460FTDI14+QFP
BCV498000INF16+SOT-89
2SA1941+2SC51983000TOSHIBA16+TO-3P
LM5010SD1942NSC14+LLP-10
LM3916N-12134NSC11+DIP-8
L98232949ST15+SOP24
XC95216-20PQ160I480XILINX12+QFP-160
74HC14D750016+CONCESSO
DM-587740NMB13+SORVO
LA46292652SANYO14+ZIP-12
BFP183E6359210015+SMD
BAS70-04LT1G15000EM15+SOT-23
BAS70-05LT1G15000EM15+SOT-23
HEF4050BT152015+CONCESSO
EP1K30TC144-32370ALTERA16+TQFP144
MCR265-105782EM16+TO-220
GBPC3508W3460SETEMBRO13+GBPC


DMG2307L-7

Em-resistência do MOSFET do MODO do REALCE do P-CANAL baixa

Características e benefícios

• Baixa Em-resistência

• Baixa capacidade entrada

• Velocidade de comutaço rápida

• Sem chumbo pelo projeto/RoHS complacentes (nota 1)

• Dispositivo “verde” (nota 2)

• Qualificado aos padrões AEC-Q101 para a confiança alta


Dados mecnicos

• Caso: SOT-23

• Material do caso: Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificaço da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0 • Sensibilidade de umidade: Ao nível 1 por J-STD-020

• Indicador das conexões terminais: Veja o diagrama

• Terminais: O ⎯ Matte Tin do revestimento recozeu sobre o leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202,

Método 208

• Peso: 0,08 gramas (aproximado


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Transistor do Mosfet da baixa potência Dmg2307l-7, ponto baixo do módulo do mosfet do poder na resistência

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