MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
Number modelo:STGB7NC60HDT4
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| DS1245Y-100 | 1002 | DALLAS | 15+ | TO-92 |
| DS1990A-F5 | 1002 | MÁXIMA | 16+ | LATA |
| ICL7135CPIZ | 1002 | INTERSIL | 16+ | MERGULHO |
| IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| K847P | 1002 | VISHAY | 14+ | DIP16 |
| LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
| LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
| MC34074AP | 1002 | EM | 13+ | DIP14 |
| TC962CPA | 1002 | MICROCHIP | 15+ | DIP8 |
| VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
| LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
| XC2C64A-7VQG44C | 1005 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| 30344 | 560 | BOSCH | 14+ | QFP |
| AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| NCP1200AP40 | 1008 | EM | 16+ | DIP8 |
| PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
| ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
| TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
| HT8950 | 1012 | HOLTEK | 16+ | MERGULHO |
| TDA7384 | 1012 | ST | 16+ | FECHO DE CORRER |
| CS5550-ISZ | 1022 | CIRRO | 14+ | SSOP24 |
| LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
| IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
| XCF04SVOG20C | 1034 | XILINX | 16+ | CONCESSO |
| MC34084P | 1050 | EM | 16+ | DIP-14 |
| DAC1220E | 1077 | SI | 13+ | SSOP16 |
| AT91SAM7X256-AU | 1088 | ATMEL | 15+ | QFP |
| 74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
| ADM2582EBRWZ | 1100 | ANÚNCIO | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D
PowerMESH™ muito rápido IGBT
■MAIS BAIXA GOTA de ON-VOLTAGE (Vcesat)
■FORA DAS PERDAS INCLUA A CORRENTE DA CAUDA
■AS PERDAS INCLUEM A ENERGIA DA RECUPERAÇO DO DIODO
■ABAIXE A RELAÇO DE CRES/CIES
■OPERAÇO DE ALTA FREQUÊNCIA ATÉ 70 quilohertz
■ANTI DIODO PARALELO DA RECUPERAÇO ULTRARRÁPIDO MACIA MESMA
■PRODUTOS DA NOVA GERAÇO COM DISTRIBUIÇO MAIS APERTADA DO PARMETRO
DESCRIÇO
Usando a tecnologia de alta tenso a mais atrasada baseada em uma disposiço patenteada da tira, STMicroelectronics projetou uma família avançada de IGBTs, o PowerMESH™ IGBTs, com desempenhos proeminentes. O sufixo “H” identifica uma família aperfeiçoada para aplicações de alta frequência a fim conseguir os desempenhos de comutaço muito altos (tfall reduzido) que mantaining uma gota da baixa tenso.
APLICAÇÕES
■INVERSORES DE ALTA FREQUÊNCIA
■SMPS E PFC NOS AMBOS INTERRUPTOR DURO E TOPOLOGIAS RESSONANTES
■MOTORISTAS DO MOTOR
Avaliações máximas absolutas
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade | |
STGP7NC60HD STGB7NC60HD | STGF7NC60HD | |||
| VCES | Tenso do Coletor-emissor (VGS = 0) | 600 | V | |
| VECR | Tenso do Emissor-coletor | 20 | V | |
| VGE | Tenso do Porta-emissor | ±20 | V | |
| IC | Corrente de coletor (contínua) em TC = 25°C (#) | 25 | 10 | |
| IC | Corrente de coletor (contínua) em TC = 100°C (#) | 14 | 6 | |
| ICM (? 1) | Corrente de coletor (pulsada) | 50 | ||
| SE | Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C | 20 | ||
| PTOT | Dissipaço total em TC = 25°C | 80 | 25 | W |
| Derating o fator | 0,64 | 0,20 | W/°C | |
| VISO | A isolaço suporta a A.A. da tenso. (t = 1 segundo; Tc = 25°C) | - | 2500 | V |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | – 55 a 150 | °C | |
| Tj | Temperatura de junço de funcionamento | |||
(1?) largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.
Figura 1: Pacote
Figura 2: Diagrama esquemático interno
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
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