MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

Number modelo:FQP30N06
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:6900pcs
Prazo de entrega:1 dia
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
MCIMX535DVV1C1066FREESCALE14+BGA
MCIMX6S7CVM08AC769FREESCALE16+BGA
MCP100T-270I/TT68000MICROCHIP15+SOT23-3
MCP100T-315I/TT57000MICROCHIP16+SOT23-5
MCP100T-450I/TT58000MICROCHIP10+SOT23-3
MCP120T-315I/TT24000MICROCHIP14+SOT-23
MCP1252-33X50I/MS6935MICROCHIP16+MSOP
MCP1525T-I/TT22350MICROCHIP14+SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB11219MICROCHIP16+SOT-89
MCP1700T-1802E/TT17041MICROCHIP06+SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB14911MICROCHIP09+SOT-89
MCP1700T-3302E/TT87000MICROCHIP12+SOT-23
MCP1700T-5002E/TT6249MICROCHIP16+SOT-23
MCP1702T-3302E/MB8308MICROCHIP13+SOT-89
MCP1703T-5002E/DB6320MICROCHIP13+SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB5514MICROCHIP16+SOT-223
MCP1826T-3302E/DC6845MICROCHIP15+SOT223-5
MCP2122-E/SN7708MICROCHIP13+SOP-8
MCP23S17-E/SO8974MICROCHIP15+SOP-28
MCP2551-I/SN7779MICROCHIP16+SOP-8
MCP2551T-E/SN3957MICROCHIP16+SOP-8
MCP3202-CI/SN5841MICROCHIP15+SOP-8
MCP3202-CI/SN5770MICROCHIP15+SOP-8
MCP3208-CI/P8740MICROCHIP15+MERGULHO
MCP3421AOT-E/CH12828MICROCHIP16+SOT23-6
MCP3422AO-E/SN3875MICROCHIP10+SOP-8
MCP3424-E/SL8273MICROCHIP16+SOP-14
MCP3551-E/SN7817MICROCHIP16+SOP-8
MCP41050T-I/SN4450MICROCHIP11+SOP-8
MCP41100-I/SN3572MICROCHIP15+SOP-8

FQP30N06

MOSFET do N-canal 60V


Descriço geral

Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal so produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.


Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho de comutaço superior, e suporta o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutaço. Estes dispositivos so bem - serido para aplicações da baixa tenso tais como conversores automotivos, da C.C. da C.C., e eficiência elevada que comuta para a gesto do poder em produtos portáteis e a pilhas.


Características

• 30A, 60V, RDS (sobre) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Baixa carga da porta (19 típicos nC)

• Baixo Crss (40 típicos PF)

• Interruptor rápido

• a avalancha 100% testou

• Capacidade melhorada de dv/dt

• avaliaço máxima da temperatura de junço 175°C


Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposiço em contrário

SímboloParmetroFQP30N06Unidades
VDSSTenso da Dreno-fonte60V
Identificaço

Drene atual - contínuo (TC = 25°C)

- Contínuo (TC = 100°C)

30
21,3
IDMDrene atual - pulsado (nota 1)120
VGSSTenso da Porta-fonte± 25V
EASÚnica energia pulsada da avalancha (nota 2)280mJ
IARCorrente da avalancha (nota 1)30
ORELHAEnergia repetitiva da avalancha (nota 1)7,9mJ
dv/dtRecuperaço máxima dv/dt do diodo (nota 3)7,0V/ns
Paládio

Dissipaço de poder (TC = 25°C)

- Derate acima de 25°C

79W
0,53W/°C
TJ, TSTGVariaço da temperatura do funcionamento e do armazenamento-55 a +175°C
TLTemperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligaço do argumento por 5 segundos300°C

China MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06 supplier

MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

Inquiry Cart 0