Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25

Number modelo:BC807-25
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
5M0380R2882FSC14+TO-220
AT24C042882ATMEL14+SOP8
HT13812882HOLTEK14+SOP8
L293E2887ST16+MERGULHO
BZX84B5V12888EM16+SOT-23
TLP523-42888TOSHIBA13+DIP-16
TPS63020DSJR2888SI15+QFN
KBP2102896SETEMBRO16+MERGULHO
MP1542DK-LF-Z2900PM16+MSOP8
STU30302900SAMHOP14+TO-252
IRS2092S2978IR14+SOP16
SMBJ36A2980VISHAY14+DO-214AA
A62592988SANKEN16+MERGULHO
IRF7309TRPBF2990IR16+SOP8
PIC16F877-20I/L2990MICROCHIP13+PLCC44
IRFBE30P2997IR15+TO-220
MUR1640CT2998EM16+TO-220
1.5KE15A3000VISHAY16+DO-201AD
1.5KE6.8CA3000VISHAY14+DO-201AD
1N5359B3000EM14+DO-27
1N5819HW-7-F3000DIODOS14+SOD-123
2N7002W-7-F3000DIODOS16+SOT-323
74HC1G04GW300016+SOT-353
BD1363000ST13+TO-126
BF620300015+SOT-89
BZD27C133000VISHAY16+SOD123
BZX84-C12300016+SOT23
CAT810LTBI3000EM14+SOT23-3
DF01S3000VISHAY14+SOP4
DTC124EU3000ROHM14+SOT323


Transistor de uso geral de BC807 PNP

CARACTERÍSTICAS
• Atual alto (máximo 500 miliampères)
• Baixa tenso (máximo 45 V).

APLICAÇÕES
• Interruptor e amplificaço de uso geral.

Fig.1 simplificou o esboço (SOT23) e o símbolo.
DESCRIÇO
Transistor de PNP em um pacote SOT23 plástico.
NPN complementa: BC817.

FIXAR

PINDESCRIÇO
1base
2emissor
3coletor


VALORES DE LIMITAÇO
De acordo com o sistema de avaliaço máxima absoluta (IEC 134).

SÍMBOLOPARMETROCIRCUNSTNCIASMÍNIMO.MÁXIMO.UNIDADE
VCBOtenso da coletor-baseemissor aberto−50V
VCEOtenso do coletor-emissorbase aberta; IC = −10 miliampère−45V
VEBOtenso da emissor-basecoletor aberto−5V
ICcorrente de coletor (C.C.)−500miliampère
ICMcorrente de coletor máxima−1
IBMcorrente baixa máxima−200miliampère
Ptotdissipaço de poder total°C do ≤ 25 de Tamb; nota 1250mW
Tstgtemperatura de armazenamento−65+150°C
Tjtemperatura de junço150°C
Tambtemperatura ambiental de funcionamento−65+150°C

O transistor da nota 1. montou em uma placa dos circuitos impressos FR4.

ESBOÇO DO PACOTE

Pacote montado de superfície plástico; 3 ligações SOT23



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Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25

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