Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder FQP50N06

Number modelo:FQP50N06
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
SN74HC00DR4211SI15+SOP14
NDS9956A4215FAIRCHILD16+SOP8
MC33202DR2G4227EM16+SOP8
ICE2B265425014+DIP-8
SS32-E3/57T4250VISHAY14+DO214
SI38674258VISHAY14+SOT-163
APM49534275APM16+SOP8
LM1117MPX-5.04288NS16+SOT223
3224W-1-103E4300BOURNS13+SMD
TNY276GN4300PODER15+SOP-7
MIC5235-1.8YM54300MICREL16+SOT23-5
HCF4052BEY4399ST16+MERGULHO
M82C51A-24400OKI14+MERGULHO
MUR1620CTRG4400EM14+TO-220
IRF73294412IR14+SOP-8
HSMP-38164433AVAGO16+SOT153
SMDJ54CA4440LITTELFUS16+SMD
GP1A51HR4444AFIADO13+DIP-4
P2804BDG4444NIKO15+TO252
AP9962GH4450AP16+TO-252
AD1955ARSZ4457ANÚNCIO16+SSOP-28
AMS1083CT-3.34470AMS14+TO-220
1N4747A4500ST14+DO-41
FDB8447L4500FSC14+TO-263
INA118P4500SI16+DIP-8
IRFR9024NTRPBF4500IR16+TO-252
NL17SZ064500EM13+SOT553
Q6040K74500LITTELFUS15+TO-3P
STM83244500SAMHOP16+SOP8
TDA20504500ST16+FECHO DE CORRER

FQP50N06L

MOSFET do N-canal da LÓGICA 60V


Descriço geral

Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal so produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.

Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho de comutaço superior, e suporta o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutaço. Estes dispositivos so bem - serido para aplicações da baixa tenso tais como conversores automotivos, da C.C. da C.C., e eficiência elevada que comuta para a gesto do poder em produtos portáteis e a pilhas.


Características

• 52.4A, 60V, RDS (sobre) = 0.021Ω @VGS = 10 V

• Baixa carga da porta (24,5 típicos nC)

• Baixo Crss (90 típicos PF)

• Interruptor rápido

• a avalancha 100% testou

• Capacidade melhorada de dv/dt

• avaliaço máxima da temperatura de junço 175°C


Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposiço em contrário

SímboloParmetroFQP50N06LUnidades
VDSSTenso da Dreno-fonte60V
Identificaço

Drene atual - contínuo (TC = 25°C)

- Contínuo (TC = 100°C)

52,4
37,1
IDMDrene atual - pulsado (nota 1)210
VGSSTenso da Porta-fonte± 20V
EASÚnica energia pulsada da avalancha (nota 2)990mJ
IARCorrente da avalancha (nota 1)52,4
ORELHAEnergia repetitiva da avalancha (nota 1)12,1mJ
dv/dtRecuperaço máxima dv/dt do diodo (nota 3)7,0V/ns
Paládio

Dissipaço de poder (TC = 25°C)

- Derate acima de 25°C

121W
0,81W/°C
TJ, TSTGVariaço da temperatura do funcionamento e do armazenamento-55 a +175°C
TLTemperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligaço do argumento por 5 segundos300°C

Dimensões do pacote

TO-220


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Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder FQP50N06

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