MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A
Number modelo:IRFP260NPBF
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:9200pcs
Prazo de entrega:1 dia
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Fornecedor do último login vezes:
No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET do poder de IRFP260NPbF HEXFET®
• Tecnologia de processamento avançada?
• Avaliaço dinmica de dv/dt?
• temperatura de funcionamento 175°C?
• Interruptor rápido?
• Inteiramente avalancha avaliada?
• Facilidade da paralelizaço?
• Exigências simples da movimentaço
• Sem chumbo
Descriço
A quinta geraço HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido para níveis de poder mais alto comercial-industriais das aplicações onde impossibilitar o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado.
Avaliações máximas absolutas
| Parmetro | Máximo. | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Identificaço @ TC = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 50 | |
| Identificaço @ TC = 100°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 35 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno | 200 | |
| Paládio @TC = 25°C | Dissipaço de poder | 300 | |
| Fator Derating linear | 2,0 | W/°C | |
| VGS | Tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
| EAS | Única energia da avalancha do pulso | 560 | mJ |
| IAR | Corrente da avalancha? | 50 | |
| ORELHA | Energia repetitiva da avalancha? | 30 | mJ |
| dv/dt | Recuperaço máxima dv/dt do diodo | 10 | V/ns |
| TJ, TSTG | Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | -55 a +175 | °C |
| Temperatura de solda, por 10 segundos | 300 (1.6mm do caso) | °C | |
| Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 | lbfïin 10 (1.1Nïm) |
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| LM2662MX | 5344 | SI | 16+ | SOP-8 |
| LM2663M | 6856 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-5.0 | 5274 | SI | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-ADJ | 5415 | SI | 15+ | SOP-8 |
| LM2734YMK | 12799 | SI | 16+ | SOT23-6 |
| LM2767M5X | 6927 | NSC | 16+ | SOT23-5 |
| LM2825N-ADJ | 1525 | NSC | 06+ | DIP-24 |
| LM2842YMK-ADJL | 4655 | SI | 16+ | SOT23-6 |
| LM285MX-1.2 | 5929 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2901DR2G | 104000 | EM | 13+ | CONCESSO |
| LM2902DR2G | 77000 | EM | 15+ | CONCESSO |
| LM2903DR2G | 107000 | EM | 15+ | CONCESSO |
| LM2903IMX | 13191 | FSC | 11+ | SOP-8 |
| LM2904DR2G | 82000 | EM | 16+ | SOP-8 |
| LM2904MX | 11700 | NS | 15+ | SOP-8 |
| LM2904P | 20000 | SI | 16+ | TSSOP-8 |
| LM2904QPWRQ1 | 6065 | SI | 14+ | TSSOP-8 |
| LM2907N-8 | 8781 | NS | 97+ | DIP-8 |
| LM2917N-8 | 6580 | NS | 13+ | DIP-8 |
| LM2931AD-5.0R2G | 19723 | EM | 16+ | SOP-8 |
| LM2931CDR2G | 14829 | EM | 16+ | SOP-8 |
| LM2931CDR2G | 10000 | EM | 15+ | SOP-8 |
| LM2936MPX-3.3 | 9351 | SI | 14+ | SOT-223 |
| LM2936Z-5.0 | 3406 | NS | 05+ | TO-92 |
| LM2937ESX-3.3 | 9135 | NSC | 07+ | TO-263 |
| LM2937IMPX-3.3 | 1862 | SI | 16+ | SOT-223 |
| LM2940CSX-5.0 | 8095 | NS | 14+ | TO-263 |
| LM2940S-5.0 | 10367 | NS | 16+ | TO-263 |
| LM2940SX-5.0 | 8852 | NS | 15+ | TO-263 |
| LM2941CT | 5900 | NS | 00+ | TO-220 |
MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A
Inquiry Cart
0