Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

IRLR2905TRPBF

±15kV ESD protegeu, +3V a +5.5V, 1Microamp, 250kbps, transmissores RS-232/receptores

Movimentaço da porta do Lógica-nível?

Em-resistência ultra baixa?

Montagem de superfície (IRLR2905)?

Ligaço reta (IRLU2905)?

Tecnologia de processamento avançada

Interruptor rápido? Inteiramente avalancha avaliada

Sem chumbo

Descriço

A quinta geraço HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em uma grande variedade de aplicações. O D-PAK é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A verso reta da ligaço (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipaço de poder até 1,5 watts so possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.

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??????????????? ????????????? Maxim Rating absoluto

Corrente contínua do dreno TC = 25°C, identificaço 10V 42 de VGS @ @ TC = 100°C

Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 30 A

IDM pulsados drenam paládio 160 atual @TC = 25°C

Derating linear de W da dissipaço de poder 110 fatora 0,71 W/°C

± 16 V da tenso da Porta--fonte de VGS

Energia da avalancha do pulso de EAS única? 210 mJ

Corrente 25 da avalancha de IAR uma ORELHA repetitiva

Recuperaço dv/dt do diodo do pico do mJ dv/dt da energia 11 da avalancha? 5,0 V/ns

Junço de funcionamento e -55 de TJ + a 175

Variaço da temperatura do armazenamento de TSTG

Temperatura de solda, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso)

Uma parte da lista conservada em estoque

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