Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar
Number modelo:MJD112T4G
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8600pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
DarliCM GROUPon Power Transistors complementar
DPAK para as aplicações de superfície da montagem
TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE
2 AMPÈRES
100 VOLTS
20 WATTS
Projetado para o poder de uso geral e a comutaço tal como fases da saída ou de motorista nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores, e amplificadores de potência.
Características
• Os pacotes de Pb−Free esto disponíveis
• Ligaço formada para as aplicações de superfície da montagem nas luvas plásticas (nenhum sufixo)
• Verso reta da ligaço nas luvas plásticas (sufixo “−1”)
• Verso formada ligaço na fita de 16 milímetros e no carretel (“T4” e sufixo de “RL”)
• Eletricamente similar série TIP31 e TIP32 popular
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
| Avaliaço | Símbolo | Máximo | Unidade |
| Tenso de Collector−Emitter | VCEO | 100 | VDC |
| Tenso de Collector−Base | VCB | 100 | VDC |
| Tenso de Emitter−Base | VEB | 5 | VDC |
− da corrente de coletor contínuo Pico | IC | 2 4 | CAD |
| Corrente baixa | IB | 50 | mAdc |
Dissipaço de poder total @ TC = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 20 0,16 | W W/°C |
Poder total Dissipation* @ Ta = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 1,75 0,014 | W W/°C |
| Variaço da temperatura da junço do funcionamento e do armazenamento | TJ, Tstg | −65 a +150 | °C |
As avaliações máximas so aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicaram-se ao dispositivo so valores de limite individuais do esforço (condições operacionais no normais) e so inválidas simultaneamente. Se estes limites so excedidos, a operaço funcional do dispositivo no está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.
DIAGRAMAS DE MARCAÇO
DIMENSÕES DO PACOTE
DPAK
CASO 369C
EDIÇO O
DPAK−3
CASO 369D−01
EDIÇO B
Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar
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