TRIAC sensíveis de Alternistor do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC do mosfet CI do poder Q6012LH5

TRIAC de Alternistor (6 40 A)

Descriço geral

Teccor oferece alternistors bidirecionais com avaliações atuais de 6 40 A e tensões de 200 V a 1000 V como parte da linha larga de Teccor de tiristores. O alternistor de Teccor é projetado especificamente para as aplicações que comutam cargas altamente indutivas. Uma microplaqueta especial oferece o mesmo desempenho que uma paralela inversa prendida de dois tiristores (SCR) (lado a lado), fornecendo o melhor comportamento da volta-fora do que um TRIAC padro. Um alternistor pode ser provocado de uma obstruço ao estado da conduço para uma ou outra polaridade de tenso AC aplicada com modos de funcionamento nos quadrantes I, II, e III.

Esta construço nova da microplaqueta fornece duas eletricamente estruturas separadas do SCR, fornecendo características aumentadas de dv/dt ao reter as vantagens de um dispositivo da único-microplaqueta.

Todos os alternistors vidro-passivated junções para assegurar a estabilidade a longo prazo da confiança e do parmetro. As junções vidro-passivated de Teccor oferecem uma barreira segura contra a contaminaço da junço.

O pacote do TO-218X de Teccor é projetado para a capacidade powerhandling pesada, constante. Caracteriza grandes terminais do ilhó para a facilidade de soldar o fio pesado da conexo do calibre. Todos os pacotes isolados têm uma avaliaço padro da tenso do isolamento de 2500 V rms.

As variações dos dispositivos cobertos nesta folha de dados esto disponíveis para projetam aplicações. Consulte a fábrica para mais informações.

Características

• Capacidade alta da corrente de impulso

• junções Vidro-passivated

• Isolamento da C.A. de 2500 V para pacotes de L, de J, e de K

• Dv/dt comutando alto

• Dv/dt estático alto

Condições de teste

di/dt — Taxa--mudança máxima da corrente do em-estado

dv/dt — Taxa--elevaço crítica da tenso do fora-estado na porta avaliado de VDRM aberta

dv/dt (c) — Taxa--elevaço crítica da tenso da comutaço em VDRM avaliado e em TI (RMS) que comutam di/dt = as 0,54 TI avaliados (RMS) /ms; porta unenergized

I ² t — Em-estado (no-repetitivo) do impulso do RMS atual para um período da Senhora 8,3 para fundir

IDRM — Porta atual do fora-estado máximo aberta; VDRM = valor avaliado máximo

IGT — Disparador da porta da C.C. atual em quadrantes de funcionamento específicos; VD = C.C. de 12 V

IGTM — Corrente máxima do disparador da porta

IH — Corrente de terra arrendada (C.C.); porta aberta

A TI _(RMS) — ngulo atual da conduço do em-estado do RMS de 360°

ITSM — Impulso máximo do um-ciclo

PÁGINA _{(AVOIRDUPOIS)} — Dissipaço de poder média da porta

PGM — Dissipaço de poder máxima da porta; _≦ IGTM DE IGT

tgt — Tempo de ligaço controlado da porta; IGT = 300 miliampères com 0,1 vezes de elevaço dos µs

VDRM — Tenso de obstruço repetitiva do pico

VGT — Tenso de disparador da porta da C.C.; VD = C.C. de 12 V

VTM — A tenso máxima do em-estado avaliou no máximo a corrente do RMS

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