GaAs novo & original Ired do transistor do Mosfet do poder TLP734 & transistor da foto
Number modelo:TLP734
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:6800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Photocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Máquina de escritório
Equipamento do uso do agregado familiar
Relé de circuito integrado
Fonte de alimentaço de comutaço
TOSHIBA TLP733 e TLP734 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio no MERGULHO plástico de seis ligações.
TLP734 é conexo interna do no−base para ambientes do high−EMI.
- Tenso de Collector−emitter: 55 V (mínimos)?
- Relaço de transferência atual: 50% (mínimo)
- Grau GB: 100% (mínimo)?
- O UL reconheceu: UL1577, no. E67349 do arquivo?
- O BSI aprovou: BS EN60065: 1994
- No. 7364 do certificado
- BS EN60950: 1992
- No. 7365 do certificado?
- SEMKO aprovou: SS4330784
- No. 9325163 do certificado, 9522142?
- Tenso do isolamento: 4000 Vrms (mínimo)?
- Tipo da opço (D4)
- O VDE aprovou: RUÍDO VDE0884/06,92,
- No. 74286 do certificado, 91808
- Tenso de funcionamento máxima da isolaço: 630, 890 VPK
- O mais altamente permissível sobre a tenso: 6000, 8000 VPK
- O VDE aprovou: RUÍDO VDE0884/06,92,
(Nota) quando um VDE0884 aprovou o tipo é necessário, designa por favor a “opço (D4)”
passo de 7,62 milímetros passo de 10,16 milímetros
corrente Tipo de TLP×××F?
Distncia de disperso : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)
Afastamento : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)
Trajeto interno da disperso : 4,0 milímetros (mínimo) 4,0 milímetros (mínimo)
Espessura da isolaço : 0,5 milímetros (mínimo) 0,5 milímetros (mínimo)
Avaliações máximas (Ta = 25°C)
| Característica | Símbolo | Avaliaço | Unidade | |
| Diodo emissor de luz | Corrente dianteira | SE | 60 | miliampère |
| Derating atual dianteiro (≥ de Ta 39°C) | ∆IF/°C | ? -0,7 | miliampère/°C | |
| Pico para a frente atual (pulso de 100 µs, 100 pps) | IFP | 1 | ||
| Tenso reversa | VR | 5 | V | |
| Temperatura de junço | Tj | 125 | °C | |
| Detector | Coletor? tenso do emissor | VCEO | 55 | V |
| Coletor? tenso baixa (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| Emissor? tenso de coletor | VECO | 7 | V | |
| Emissor? tenso baixa (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Corrente de coletor | IC | 50 | miliampère | |
| Dissipaço de poder | PC | 150 | mW | |
| Dissipaço de poder que derating (≥ de Ta 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| Temperatura de junço | Tj | 125 | °C | |
| Variaço da temperatura do armazenamento | Tstg | -? 55~125 | °C | |
| Variaço da temperatura de funcionamento | Topr | ? -40~100 | °C | |
| Temperatura de solda da ligaço (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Dissipaço de poder total do pacote | Pinta | 250 | mW | |
| Dissipaço de poder total do pacote que derating (≥ de Ta 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Tenso do isolamento (C.A., 1 mínimo, R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Peso: 0,42 g
Pin Configurations (vista superior)
TLP733
1: nodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Base
TLP734
1: nodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Nc
GaAs novo & original Ired do transistor do Mosfet do poder TLP734 & transistor da foto
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