MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23
Number modelo:BSS138LT1G
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Prazo de entrega:1 dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET do poder 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23
As aplicações típicas so os conversores de DC−DC, gesto do poder em produtos portáteis e battery−powered tais como computadores, impressoras, de cartões de PCMCIA os telefones, celulares e sem corda.
Características
• Os pacotes de Pb−Free esto disponíveis
• Baixa tenso do ponto inicial (VGS (th):
0,5 V−1.5 V) fazem ideal para aplicações da baixa tenso
• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT−23 salvar o espaço da placa
NOTAS:
1. CÁLCULO DE DIMENSÕES E TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.
2. DIMENSO DE CONTROLO: POLEGADA.
3. A ESPESSURA MÁXIMA DA LIGAÇO INCLUI A ESPESSURA DO REVESTIMENTO DA LIGAÇO. A ESPESSURA MÍNIMA DA LIGAÇO É A ESPESSURA MÍNIMA DA MATÉRIA-PRIMA.
4. 318−03 E −07 OBSOLETOS, 318−08 PADRO NOVO.
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25°C salvo disposiço em contrário)
| Avaliaço | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tenso de Drain−to−Source | VDSS | 50 | VDC |
| − da tenso de Gate−to−Source contínuo | VGS | ± 20 | VDC |
| Dissipaço de poder total @ Ta = 25°C | Paládio | 225 | mW |
| Variaço da temperatura do funcionamento e do armazenamento | TJ, Tstg | − 55 150 | °C |
| − Junction−to−Ambient da resistência térmica | RJA | 556 | °C/W |
| Temperatura máxima da ligaço para finalidades de solda, por 10 segundos | TL | 260 | °C |
MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23
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