Transistor wideband de uso geral do transistor NPN 7GHz do Mosfet do poder do transistor do npn BFG135

BFG135

Transistor wideband de NPN 7GHz

DESCRIÇO

Transistor epitaxial planar do silicone de NPN em um envelope SOT223 plástico, pretendido para aplicações wideband do amplificador. As estruturas pequenas do emissor, com os resistores deestabilizaço integrados, asseguram as capacidades a rendimento elevado da tenso a baixo nível da distorço.

A distribuiço das áreas ativas através da superfície do dispositivo dá um perfil de temperatura excelente.

VALORES DE LIMITAÇO

De acordo com o sistema máximo absoluto (IEC 134).

Os Ts da nota 1. esto a uma temperatura no ponto de solda da aba do coletor.

FIXAR

Distorço de intermodulaço e segundo circuito do teste da distorço de intermodulaço da ordem.

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