Transistor P do mosfet do poder superior SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)
Number modelo:SI2301CDS-T1-E3
Lugar de origem:Filipinas
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:20000
Prazo de entrega:1
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)
MOSFET do P-canal 20-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• opço Halogênio-livre disponível
• MOSFET do poder de TrenchFET®
APLICAÇÕES
• Interruptor da carga
| SUMÁRIO DO PRODUTO DO MOSFET | |||
| VDS (v) | RDS (sobre) (Ω) | Identificaço (A) a | Qg (tipo.) |
| - 20 | 0,112 em VGS = - 4,5 V | - 3,1 | 3,3 nC |
| 0,142 em VGS = - 2,5 V | - 2,7 | ||
°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposiço em contrário
Transistor P do mosfet do poder superior SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)
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