O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet

Number modelo:MRF9030
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7800pcs
Prazo de entrega:1 dia
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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A linha submicrónica do MOSFET do RF

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DO RF

MOSFETs laterais do Realce-modo do N-canal


945 megahertz, 30 W, 26 MOSFETs DE FAIXA LARGA do PODER do RF do N-CANAL da LATERAL de V


Projetado para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com frequências até 1,0 gigahertz. O ganho alto e o desempenho de faixa larga destes dispositivos fazem-nos ideais para o grande-sinal, aplicações do amplificador da comum-fonte no equipamento da estaço base de 26 volts.

• Dois típicos Tone Performance em 945 megahertz, 26 volts

Potência de saída — 30 watts de VITALIDADE

Ganho do poder — DB 19

Eficiência — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Proteço integrada do ESD

• Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço

• Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 945 megahertz, 30 watts de CW potência de saída

• Estabilidade térmica excelente

• Caracterizado com parmetros equivalentes da impedncia do Grande-sinal da série

• Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.


AVALIAÇÕES MÁXIMAS

AvaliaçoSímboloValorUnidade
Tenso da Dreno-fonteVDSS68VDC
Tenso da Porta-fonteVGS– 0,5, +15VDC

Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C MRF9030R1

Derate acima de 25°C

Paládio

92

0,53

Watts

W/°C

Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C MRF9030SR1

Derate acima de 25°C

Paládio

117

0,67

Watts

W/°C

Variaço da temperatura do armazenamentoTstg– 65 a +200°C
Temperatura de junço de funcionamentoTJ200°C

DIMENSÕES DO PACOTE


Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
BFU710F1500015+SOT-343
PIC16F526-I/SL5193MICROCHIP16+CONCESSO
LM810M3X-4.6310000NSC15+SOT-23-3
M95020-WMN6TP10000ST16+CONCESSO
M93S46-WMN64686ST10+CONCESSO
MCT6110000FSC16+DIP-8
MAX809LEUR+T10000MÁXIMA16+ÉBRIO
52271-20793653MOLEX15+conector
ZVP3306FTA9000ZETEX15+SOT23
MBR10100G15361EM16+TO-220
NTR2101PT1G38000EM16+SOT-23
MBRD640CTT4G17191EM16+TO-252
NTR4501NT1G38000EM15+SOT-23
LM8272MMX1743NSC15+MSOP-8
NDT01410000FAIRCHILD14+SOT-223
LM5007MM1545NSC14+MSOP-8
NRF24L01+3840NÓRDICO10+QFN
MI1210K600R-1030000COMISSÁRIO DE BORDO16+SMD
A3144E25000ALLEGRO13+TO-92
MP3V5004DP5784FREESCALE13+CONCESSO

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O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet

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